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图形记忆gddr1-gddr5发展
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随着大型3D游戏和高清电影的发展，他们喜欢娱乐享受的消费者越来越对显卡的要求，这使得视频卡发展迅速。目前，基于GDDR2 / 3的GPU内存卡，新的内存技术跳过GDDR4，和使用GDDR5。对gddr1发展GDDR5的过程是什么这篇文章将详细解释。
gddrmdash；mdash；记忆和记忆形式分离
事实上，特殊GDDR存储器芯片，第一代，在技术和DDR没有差异，也使用bit预取技术，频率GDDR理论高于DDR数。但在GDDR晚工艺改进具有良好的PCB图形支持，GDDR存储器的900MHz和DDR冲刺到最高，记忆只能达到600MHz，记忆和记忆逐渐拉开差距。
TSOP封装的GDDR 16bit：
8mtimes；16bit TSOP封装4.0ns GDDR，单16MB，理论频率500MHz
9550、fx5700等128bit端卡需要配8把128bit
TSOP封装的GDDR颗粒，外观规格不不同于DDR内存颗粒，因此在许多人看来，GDDR和DDR可以等同起来。事实上，有一些差异。
GDDR采用4K环32ms刷新周期，而DDR使用8K 64ms周期刷新周期。
GDDR是不耽误为了追求GPU的宽的频率非常敏感。
GDDR颗粒大，容量小，通常8times；16bit（16MB）的规格，和DDR颗粒，容量大，宽度小，虽然有16bit粒子，但最常见的是8位和4位，32MB或64MB容量。
为了实现更大的宽度，并进一步提高GDDR的性能，许多厂家使用MBGA封装了更好的电气性能，也有采用MBGA封装的内存颗粒，但规格有较大的差异，主要是不同粒子的宽度。
32bit MBGA封装GDDR：
4mtimes；32bit 2.2ns MBGA封装GDDR，单16MB，理论900MHz工作频率
8 128Mb的256bit规格是gddr1最后的辉煌
单位MBGA封装GDDR首次达到32bit，然后mark GDDR和DDR 32bit规格正式分道扬镳，GDDR2 / 3 / 4 / 5仍在使用。
两种封装：封装TSOP GDDR存储器和水平分布，一旦统一图形市场。虽然GDDR已经退出历史舞台，32bit的中高端和低端16位的主要目标，这是延续至今。
GDDR2第一版：高烧、短期早产儿高烧
GDDR2来自DDR2技术，即为4bit预取的使用，相对于DDR1代双频率。虽然技术原理是相同的，但GDDR2早于近两年的DDR2，第一个支持DDR2内存915p主板发布于2004，而fx5800ultra的GDDR2记忆中第一次是在2003年初发布，但往往是短命的早产儿。
Nvidia仍在NV30芯片设计128Bit显存接口，为了提高带宽必须使用高频率的内存，700mhz GDDR已经无法满足需求，因此冒险GDDR2，GDDR2第一代是由制造工艺有限，且电压规格为DDR / GDDR相同。虽然2.5V几乎增加到1GHz，功耗高得惊人。
4mtimes；32bit MBGA封装2.0ns 144ball GDDR2、单16MB，理论频率1000mhz
对GDDR2第一版只有两种速度和2.0ns 2.2ns
的GDDR2的第一个版本已经出现在fx5800 /超fx5600ultra三显卡（包括相应的专业卡和个人非公版卡）。ATI也很少9800pro用GDDR2。高压、高热、高能耗、高成本的很差，fx5900转向GDDR、GDDR2 256bit，很快就忘记了。
fx5800ultra是专门用于散热器的安装所需的沉重的记忆
对于GDDR2失败的主要原因是NVIDIA GeForce FX系列的架构和性能问题，甚至在切换到256bit频率GDDR（此时GDDR频率已经升级到850-900mhz、GDDR2、fx5950ultra 9800xt）仍然不是对手。当然，对自己的缺陷有GDDR2规格也就无法停留在中低端显卡，被时代抛弃。
GDDR2有很多坏习惯，但它也具有一些新的特点，例如，芯片电阻的第一次使用，和PCB设计比GDDR更简洁。此功能是通过持续的GDDR2和GDDR3之后。
GDDR2第二版：统一低端显卡永远
由于第一代GDDR2失败，高端显卡的显存直接跳从GDDR GDDR2 GDDR3，但并没有消失，而是开始转变。对改变GDDR2规格和特性的几个DRAM制造商（即DDR2内存版本的GDDR2版本），在图形阶段正式二今天的中低端显卡仍然是积极的。
对GDDR2版第一第二版的主要改进如下：
工作电压从2.5V至1.8V，功耗大大降低。
改进了制造工艺，进一步降低了功耗，降低了成本，提高了良率和容量。
粒子的宽度从32位到16bit，只适合低端显卡的使用；
封装形式从144ball MBGA改84ball FBGA，看起来从正方形矩形或长条形外观。
所有的大厂商GDDR2颗粒
由于电压下降，第二代GDDR2频率低于第一代GDDR2，主要基于2.5ns规格（800MHz）和2.2ns（900MHz），当然2.8ns（700mhz）。后期的制造过程后，对GDDR2第二代突破1000MHz 1.8V电压达到1200MHz，赶上了第一代高压GDDR2。
经典的图形的GDDR2内存：7300gt，7600gs，x1600pro，8500gthellip；hellip；很多低端显卡。
注意三星官方网站的内存分类
我相信很多朋友都注意到的第一个字母，这个页面是小写的，这是在他们的官方网站和PDF的DRAM制造商的书面，以区别GDDR2。我们可以这样认为：资本是显示卡专用，32bit的高端版本，而小写g是图形卡优化，16bit定位低端版本是从内存颗粒的本质不同。
事实上，这是GDDR3显存和GDDR3相同关系，稍后我们再做具体的介绍。
GDDR从DDR、GDDR2和GDDR3从DDR2，频率与DDR3性能比较类似，所以很多人认为GDDR3是对DDR3内存的版本，这是一个很大的误区。
GDDR3：一代帝王的GDDR3来自DDR2技术
无论GDDR或GDDR2，因为没有太多的差异，从DDR、DDR2技术，GDDR不是频率远高于DDR，GDDR2失败后，两巨头Nvidia和ATI显卡的蜗牛般的标准制定过程中已经变得越来越沮丧，JEDEC，不能适应GPU内存发展快速的产品更新换代的周期节奏，所以Nvidia和ATI的员工积极参与JEDEC组织起草标准的制定和加速记忆。
双方一致认为，内存和存储在数据存储中的应用是完全不同的，在内存的核心频率（电容器的刷新率）的改善情况，提高我 / O频率获得高带宽是不现实的。因此，必须有一个我/ O接口定义的高速点环境。所以GDDR3诞生了，这是第一个真正完全设计内存的GPU。
GDDR3和GDDR2 / DDR2都4bit预取架构。GDDR3主要提高了GDDR2的高功耗、高发热的缺点，提高了传输效率，减轻高艳迟的负面影响。
点对点的DQS，阅读和写作不需要等待
GDDR2只有一个数据选择脉冲（DQS），这是个双向的，而GDDR3有两个独立的DQS读取和写入，和点对点的设计，这样做的好处是，如果是阅读后立即写的，它不必等待DQS的方向改变，从而快速切换的读写操作的实现。
用GDDR2 / DDR2相比，读写开关动作的GDDR3可以减少一个时钟周期。如果我们需要读写数据到一个连续的块的同时，对GDDR3显存速度将两倍的GDDR2一样快。
由于存储单元的特性，存储器粒子的逻辑库不能同时读取和写入数据。没有全双工理论，但GDDR3的改进可以使读和写sequentially.gpu缓存内存本身很小，和之间的数据交换非常频繁，读写操作的点缀，所以GDDR3点DQS的设计可以使存储效率提高。但对CPU、读写切换不GPU和CPU的频繁，有两或三级缓存容量大，所以GDDR3设计可以大大提高了内存带宽，也不是引入下一代DDR3。
改进I/O接口，简化数据处理，控制功耗
同时，对我/ O控制电路和端阻力变化的GDDR3，它不再是用推式GDDR2（推拉）接收，并转换成一个虚拟的极模式（伪开漏逻辑），和传输的所有数据信号标准的三相电路，简化数据处理，将直流电压到最低，只有低总线将搬到电力消费的逻辑，从而控制功耗和发热。
的GDDR3显存频率可以和现在一样高，但它没有对过程的持续改进，增加暴力的频率的诀窍。一个年龄稍大的玩家资格应该知道，GDDR3 2004首次亮相，6600GT内存频率仅为1GHz，高于GDDR2，过去的5年中，在1路可达2GHz甚至2.5ghz GDDR3，一直延续着生命。
在了解原理和技巧的GDDR3，看实物again.gddr3和gddr1相似，并且有两形式封装：
144ball MBGA封装，为了与GDDR、GDDR2兼容
使用144ball MBGA封装的GDDR3，GDDR、GDDR2首先出场的是完全相同的，方形，三类似的支持GDDR3显存的电气性能也可以使用GPU的GDDR存储器、PCB电路，只需做少量调整。
三星2.0ns 8mtimes；32bit GDDR3显存颗粒
144ball封装GDDR3 8mtimes 32bit只；规范，所以8内存256MB 256bit，或4 128Mb 128Bit显存是mainstream.5700ultra用GDDR3首次取代GDDR2。
144ball封装的GDDR3主要包括两个速度的2.0ns（1000mhz）和1.6ns（1250mhz）。对1.4ns产量不高，而且使用频率最高的是停在1400mhz。它已经被7800gtx / GT，6800gs，6600gt广泛应用，通讯x850 / / X800 X700等显卡，144ball封装和PCB电路有限频率增强，GDDR3快速地切换到一个更好的电气136ball FBGA封装包。
136ball FBGA封装，频率能力上升
In order to improve the electrical performance and environmental protection level, from 2005, GDDR3 began to use a new 136Ball FBGA package and unleaded packaging technology.The new packaging made the graphics card PCB redesigned, but it also paved the way for GDDR3's takeoff.
三星0.8ns GDDR3内存16mtimes 32bit规格；
对136ball GDDR3封装的优点如下：
规格不再局限于8mtimes；32bit，16mtimes；32bit成为主流，32mtimes；32bit已在大量使用；
随着制造工艺的进步，额定电压从2.0V到1.8V进一步减少，但高频率的粒子可以适当加压。
速度从1.4ns，发展到通过1.2ns 0.8ns和0.7ns，1.1ns和1.0ns。以最快的速度可以突破2500mhz，但在延迟，费用还好，GPU是不耽误太敏感。
当GDDR3显存频率达到首次2000mhz，很多人认为从极限不远了，所以关注的GDDR4的开发规范，但没想到DRAM厂商的努力和新的技术支持，GDDR3的寿命延长，0.8ns 0.7ns模型已经批量生产，大能力32mtimes；32bit颗粒也成为主流，基本上能够满足所有高中低端显卡的需要。
最快的0.77ns GDDR3显存颗粒，理论频率可以达到2600mhz
2.2ns GDDR是900MHz的同时，与核心频率和我/ O 450MHz频率停止。经过5年的发展，已取得突破性进展，GDDR3核心频率和我/ O频率与新技术。核心频率可达600MHz，和我/ O频率超过1200mhz。此时，过多的I/O频率已经成为一个新的瓶颈。
4bit GDDR3采用DDR2预取技术，所以只有使用DDR3内存8bit序列命名gddr4.gddr4预取在GDDR3显存的基础上发展起来的。它继续的GDDR3两主要技术特征，但核心使用DDR3的8bit预取技术，并增加了一些新的技术来提高频率。
对GDDR4 u2022技术特点：
8bit预取技术的DDR3是用来在一个较低的核心频率达到更高的带宽，但延迟的增加。
采用数据总线转位（DBI，数据总线倒置，下面介绍）来提高数据的精度和降低功耗。
地址线只有一半的GDDR3。多余线用于电源和接地，有利于提升频率，但延迟增加。
多个同步码（多序言）技术已被用来解决GDDR3爆发（爆发限制）。
从1.8V至1.5V的电压下降；
频率相同的功耗降低了75%，和2400MHz的GDDR4功耗只有一半的2000mhz GDDR3。
136ball FBGA封装，单32，向下兼容GDDR3；
GDDR4是真的好，但性能是有限的。
由于采用了8bit预取技术，对GDDR4核心频率在同一频率只有GDDR3的一半。在理论上，对GDDR4的最高频率可以达到两倍GDDR3。但值得注意的是，虽然核心频率通过8bit预取技术减少了一半，我 / O GDDR4和GDDR3显存频率是相同的。因此，对GDDR4频率提升的瓶颈在于频率我 / O而不是核心频率。
由于条件限制，制造工艺和技术水平，虽然三星官方已经宣布，他们已经产生大于3GHz GDDR4，实际装船GDDR4只有2ghz-2.5ghz。之后，技术改进后的GDDR3显存也达到了相同的水平，在相同频率下，GDDR4比GDDR3而热功率低，但延迟性能较弱，再加上制作的小成本高，GDDR4遭受冷不奇怪。
非技术原因导致GDDR4失败
GDDR3是联合开发的JEDEC的内存组织Nvidia和ATI的标准，和GDDR4在标准制定过程中都有大differences.nvidia更保守。据认为，DDR2 4bit预取技术应保持不变，我 / O控制器应加强频率。ATI是更根本的，它直接使用DDR3 8bit预取技术。
双方争执的结果是，德高望重的ATI在JEDEC组织胜（一个高大的ATI声称是在JEDEC的顶部位置），而Nvidia显然不支持GDDR4。所以GDDR4实际上是由ATI设计的一方面，但没有NVIDIA支持GDDR4立即失去了超过6的市场，导致DRAM厂不急于生产。
只有少量的三星GDDR4显存的生产，其他公司都在wait-and-see.of课程，其他DRAM厂商也没有闲着，他们的精力投入在深GDDR3显存的潜力，所以我们看到的GDDR3显存频率上升，在没有成本优势GDDR4，没有频率的优势，只是在时间的一个卡这一代人没有性能优势，GDDR4是路的尽头。
只有ATI显卡配备GDDR4已经产生，虽然不是很多，但跨越了三代产品：x1950xtx，hd2600xt和hd3870（包括相应的专业卡）mdash；mdash，这等于在滑铁卢的脸在year.nvidia NVIDIA使用视频卡数量果断弃GDDR2，和ATI GDDR4难以释怀，三年，三代产品都在使用，但它始终是主流。
GDDR4的失败不是技术原因。随着今年GDDR2相比，它已经成熟了很多。为什么不提升的主要原因是对手太强：ATI的竞争对手Nvidia很强，和GDDR4的GDDR3太顽强。
即使8bit预取技术，GDDR4仍然从GDDR3没有区别，因为瓶颈在我/而不是为核心控制器，和GDDR5是用来解决这一瓶颈。
GDDR5：怎么是恐怖的频率达到
像GDDR4、GDDR5采用DDR3的8bit预取技术，和核心频率显然不是一个瓶颈。如何提高我的频率是重中之重。但是GDDR5不双的我/ O的频率，而采用两平行DQ总线双接口的带宽。
的GDDR5总线工作频率示意图
双DQ总线从GDDR3 / 4 136ball到170ball GPU内存控制器的引脚GDDR5数的结果，需要重新design.gddr5内存有多达16的实体银行，这些银行被分为四组，对照组四DQ双母线跨银行，实现实时的读写操作，一举将数据传输率提高到超过4ghz！
在过去，数据总线的gddr1 / 2 / 3 / 4 / 2 / 3 DDR1是DDR技术，其传输数据一个接一个的上升沿和下降沿通过差分时钟。官方标称频率X2是数据传输率，也就是我们通常所说的等效频率。但是GDDR5是不同的。它有两个数据总线，这相当于Rambus的QDR技术，所以官方标称频率X4的数据传输速率，例如，官方HD4870 700内存频率为900MHz，我们曾经叫3600mhz。
失败是成功之母，GDDR5帮助RV770挑战GTX200冒险使用
对GDDR4没有故障停了ATI的进展。实现GDDR4频率提升的瓶颈后，GDDR5草案的制定提上日程。ATI和Nvidia的技术人员聚集开展合作plan.gddr5学会了很多前任的优点，这是它的本质丢弃的本质，并没有更多的矛盾双方在改善我/ O。
技术问题不难解决，最难的是时间和progress.ati R600在上述风险512bit内存控制器以提高内存带宽，它是如此rv670遭受一个大的，回到256bit，导致性能piaffe.gddr4相比GDDR3无频率优势，因此ATI需要GDDR5生产来满足一新一代GPU RV770，需要只有256bit，需要高频率的内存支持。
竞争对手NVIDIA对于GDDR5当然很感兴趣，但不着急，保守的NVIDIA GDDR3 GTX200决定坚持的核心，对512bit内存控制器来提高带宽的使用。随着R600的环形总线相比，NVIDIA的交叉总线从256bit到384bit到512bit步步显然是更成熟。
反对512bit对256bit，ATI只能充电芯片GDDR5，因此在GDDR5标准已完全建立，ATI已经如火如荼的性能测试，并促使DRAM厂投入运行。可以说，是一个早熟的孩子喜欢GDDR5 GDDR2 / 4，但失败是成功之母。与支持完善的技术规范和制造工艺，GDDR5是非常令人印象深刻的她出生时。
由于GDDR5数据传输速率提高一倍，HD4870 700选择256bit到448bit GTX260，迫使NVIDIA反击通过降低价格，提升规范和提高的过程。128bit和9600gt的HD4770性能256bit也赢得9800gt。
对GDDR3 / 4的优良特性的基础上，GDDR5有很多改进和新功能，以下是他们的具体分析。
数据与地址总线换位技术：高信号质量、低功耗
在1byte数据的8个值，如果超过一半的数据是0，那么GDDR5将自动执行换位传输，把0到1和1到0，然后确定数据流是正向还是反向的1个额外的DBI（数据总线转位值）。GDDR5技术的不断发展从GDDR4。
当DRAM传输数据时，只有0会消耗功率，并将传输量减少0。它不仅可以保证信号质量，而且降低了内部终端电阻的功耗和外接电路。GDDR5的地址总线也采用了类似的技术型数据流通过额外的ABI的渠道，从而降低信号噪声和降低功耗。
智能化可编程I/O控制接口：简化pcb设计和成本
GDDR5已经做了很多改进，我 / O控制器，加入了新的引擎，自动校准，确保GDDR5显存颗粒更好地适应GPU内存控制器需要确保稳定和可靠的数据传输。
自动校准引擎可以监控电压和温度的变化，补偿数据通过校验数据输出驱动器的性能和ODT端的电阻值，以及数据、地址、指令终端电阻可以通过软件或驱动程序控制。
GDDR5更具有针，但布线更简洁。
另外，也可以支持GDDR5的时延和信号强度调整，灵活的数据同步协调，通过蛇形延迟线平衡以前的方法去彻底成为历史，GDDR5没有这样的顾虑，所以PCB可以简化布线和成本大大降低，有利于更高频率的影响。
数据覆盖技术：降低数据总线压力
GDDR5的突发长度（相邻的存储单元的连续数据传输的数量）是8bit，也就是说，256bit GDDR5颗粒传输数据一次至少一次，但很多时候，不是所有的数据都需要被改写，导致无效的数据传输。
为此，GDDR5使用的一种数据隐藏技术，通过地址线保护信息。所有受保护的数据将不会被改写，在传输过程中，只有暴露的数据将被写入新的数据。此后，GDDR5的数据线的压力已经减少很多，和功耗得到进一步控制。
误差补偿技术：提高传输效率，避免灾难性错误
为了保证高速传输数据的有效性，一个新的错误检测和校正技术的加入gddr5.gddr5采用成熟的CRC（循环冗余校验），通过DQ和DBI总线，检查错误在真正的时间，并在第一时间发送数据。
这种技术对于高频传输数据尤为重要。它能有效地降低数据传输错误引起系统失效的概率，大大减少所引起的一系列问题超频或高的温度，并在一定程度上提高了数据传输的效率。
折叠方式：32bit颗粒用以16位
GDDR5作为专用的视频卡的高端显卡，只有32bit GDDR5颗粒。因为有两个并行数据总线，GDDR5的工作方式更加灵活。它可以在32位模式或16bit模式工作。这样一个32位的内存控制器可以控制两GDDR5内存，内存容量可以轻松翻倍。
事实上，GDDR3 / 4这样可以扩大存储容量，但原则是完全不同的。GPU内存控制器必须支持在设计的双行模式可以支持更多的内存颗粒。现在，共有8 256bit 128bit GPU GDDR5内存可以使用，从而简化了内存控制器的设计是一个很好的例子，HD4770。
gddrmdash；mdash；记忆和记忆形式分离
事实上，特殊GDDR存储器芯片，第一代，在技术和DDR没有差异，也使用bit预取技术，频率GDDR理论高于DDR数。但在GDDR晚工艺改进具有良好的PCB图形支持，GDDR存储器的900MHz和DDR冲刺到最高，记忆只能达到600MHz，记忆和记忆逐渐拉开差距。
TSOP封装的GDDR 16bit：
8mtimes；16bit TSOP封装4.0ns GDDR，单16MB，理论频率500MHz
9550、fx5700等128bit端卡需要配8把128bit
TSOP封装的GDDR颗粒，外观规格不不同于DDR内存颗粒，因此在许多人看来，GDDR和DDR可以等同起来。事实上，有一些差异。
GDDR采用4K环32ms刷新周期，而DDR使用8K 64ms周期刷新周期。
GDDR是不耽误为了追求GPU的宽的频率非常敏感。
GDDR颗粒大，容量小，通常8times；16bit（16MB）的规格，和DDR颗粒，容量大，宽度小，虽然有16bit粒子，但最常见的是8位和4位，32MB或64MB容量。
为了实现更大的宽度，并进一步提高GDDR的性能，许多厂家使用MBGA封装了更好的电气性能，也有采用MBGA封装的内存颗粒，但规格有较大的差异，主要是不同粒子的宽度。
32bit MBGA封装GDDR：
4mtimes；32bit 2.2ns MBGA封装GDDR，单16MB，理论900MHz工作频率
8 128Mb的256bit规格是gddr1最后的辉煌
单位MBGA封装GDDR首次达到32bit，然后mark GDDR和DDR 32bit规格正式分道扬镳，GDDR2 / 3 / 4 / 5仍在使用。
两种封装：封装TSOP GDDR存储器和水平分布，一旦统一图形市场。虽然GDDR已经退出历史舞台，32bit的中高端和低端16位的主要目标，这是延续至今。
GDDR2第一版：高烧、短期早产儿高烧
GDDR2来自DDR2技术，即为4bit预取的使用，相对于DDR1代双频率。虽然技术原理是相同的，但GDDR2早于近两年的DDR2，第一个支持DDR2内存915p主板发布于2004，而fx5800ultra的GDDR2记忆中第一次是在2003年初发布，但往往是短命的早产儿。
Nvidia仍在NV30芯片设计128Bit显存接口，为了提高带宽必须使用高频率的内存，700mhz GDDR已经无法满足需求，因此冒险GDDR2，GDDR2第一代是由制造工艺有限，且电压规格为DDR / GDDR相同。虽然2.5V几乎增加到1GHz，功耗高得惊人。
4mtimes；32bit MBGA封装2.0ns 144ball GDDR2、单16MB，理论频率1000mhz
对GDDR2第一版只有两种速度和2.0ns 2.2ns
的GDDR2的第一个版本已经出现在fx5800 /超fx5600ultra三显卡（包括相应的专业卡和个人非公版卡）。ATI也很少9800pro用GDDR2。高压、高热、高能耗、高成本的很差，fx5900转向GDDR、GDDR2 256bit，很快就忘记了。
fx5800ultra是专门用于散热器的安装所需的沉重的记忆
对于GDDR2失败的主要原因是NVIDIA GeForce FX系列的架构和性能问题，甚至在切换到256bit频率GDDR（此时GDDR频率已经升级到850-900mhz、GDDR2、fx5950ultra 9800xt）仍然不是对手。当然，对自己的缺陷有GDDR2规格也就无法停留在中低端显卡，被时代抛弃。
GDDR2有很多坏习惯，但它也具有一些新的特点，例如，芯片电阻的第一次使用，和PCB设计比GDDR更简洁。此功能是通过持续的GDDR2和GDDR3之后。
GDDR2第二版：统一低端显卡永远
由于第一代GDDR2失败，高端显卡的显存直接跳从GDDR GDDR2 GDDR3，但并没有消失，而是开始转变。对改变GDDR2规格和特性的几个DRAM制造商（即DDR2内存版本的GDDR2版本），在图形阶段正式二今天的中低端显卡仍然是积极的。
对GDDR2版第一第二版的主要改进如下：
工作电压从2.5V至1.8V，功耗大大降低。
改进了制造工艺，进一步降低了功耗，降低了成本，提高了良率和容量。
粒子的宽度从32位到16bit，只适合低端显卡的使用；
封装形式从144ball MBGA改84ball FBGA，看起来从正方形矩形或长条形外观。
所有的大厂商GDDR2颗粒
由于电压下降，第二代GDDR2频率低于第一代GDDR2，主要基于2.5ns规格（800MHz）和2.2ns（900MHz），当然2.8ns（700mhz）。后期的制造过程后，对GDDR2第二代突破1000MHz 1.8V电压达到1200MHz，赶上了第一代高压GDDR2。
经典的图形的GDDR2内存：7300gt，7600gs，x1600pro，8500gthellip；hellip；很多低端显卡。
注意三星官方网站的内存分类
我相信很多朋友都注意到的第一个字母，这个页面是小写的，这是在他们的官方网站和PDF的DRAM制造商的书面，以区别GDDR2。我们可以这样认为：资本是显示卡专用，32bit的高端版本，而小写g是图形卡优化，16bit定位低端版本是从内存颗粒的本质不同。
事实上，这是GDDR3显存和GDDR3相同关系，稍后我们再做具体的介绍。
GDDR从DDR、GDDR2和GDDR3从DDR2，频率与DDR3性能比较类似，所以很多人认为GDDR3是对DDR3内存的版本，这是一个很大的误区。
GDDR3：一代帝王的GDDR3来自DDR2技术
无论GDDR或GDDR2，因为没有太多的差异，从DDR、DDR2技术，GDDR不是频率远高于DDR，GDDR2失败后，两巨头Nvidia和ATI显卡的蜗牛般的标准制定过程中已经变得越来越沮丧，JEDEC，不能适应GPU内存发展快速的产品更新换代的周期节奏，所以Nvidia和ATI的员工积极参与JEDEC组织起草标准的制定和加速记忆。
双方一致认为，内存和存储在数据存储中的应用是完全不同的，在内存的核心频率（电容器的刷新率）的改善情况，提高我 / O频率获得高带宽是不现实的。因此，必须有一个我/ O接口定义的高速点环境。所以GDDR3诞生了，这是第一个真正完全设计内存的GPU。
GDDR3和GDDR2 / DDR2都4bit预取架构。GDDR3主要提高了GDDR2的高功耗、高发热的缺点，提高了传输效率，减轻高艳迟的负面影响。
点对点的DQS，阅读和写作不需要等待
GDDR2只有一个数据选择脉冲（DQS），这是个双向的，而GDDR3有两个独立的DQS读取和写入，和点对点的设计，这样做的好处是，如果是阅读后立即写的，它不必等待DQS的方向改变，从而快速切换的读写操作的实现。
用GDDR2 / DDR2相比，读写开关动作的GDDR3可以减少一个时钟周期。如果我们需要读写数据到一个连续的块的同时，对GDDR3显存速度将两倍的GDDR2一样快。
由于存储单元的特性，存储器粒子的逻辑库不能同时读取和写入数据。没有全双工理论，但GDDR3的改进可以使读和写sequentially.gpu缓存内存本身很小，和之间的数据交换非常频繁，读写操作的点缀，所以GDDR3点DQS的设计可以使存储效率提高。但对CPU、读写切换不GPU和CPU的频繁，有两或三级缓存容量大，所以GDDR3设计可以大大提高了内存带宽，也不是引入下一代DDR3。
改进I/O接口，简化数据处理，控制功耗
同时，对我/ O控制电路和端阻力变化的GDDR3，它不再是用推式GDDR2（推拉）接收，并转换成一个虚拟的极模式（伪开漏逻辑），和传输的所有数据信号标准的三相电路，简化数据处理，将直流电压到最低，只有低总线将搬到电力消费的逻辑，从而控制功耗和发热。
的GDDR3显存频率可以和现在一样高，但它没有对过程的持续改进，增加暴力的频率的诀窍。一个年龄稍大的玩家资格应该知道，GDDR3 2004首次亮相，6600GT内存频率仅为1GHz，高于GDDR2，过去的5年中，在1路可达2GHz甚至2.5ghz GDDR3，一直延续着生命。
在了解原理和技巧的GDDR3，看实物again.gddr3和gddr1相似，并且有两形式封装：
144ball MBGA封装，为了与GDDR、GDDR2兼容
使用144ball MBGA封装的GDDR3，GDDR、GDDR2首先出场的是完全相同的，方形，三类似的支持GDDR3显存的电气性能也可以使用GPU的GDDR存储器、PCB电路，只需做少量调整。
三星2.0ns 8mtimes；32bit GDDR3显存颗粒
144ball封装GDDR3 8mtimes 32bit只；规范，所以8内存256MB 256bit，或4 128Mb 128Bit显存是mainstream.5700ultra用GDDR3首次取代GDDR2。
144ball封装的GDDR3主要包括两个速度的2.0ns（1000mhz）和1.6ns（1250mhz）。对1.4ns产量不高，而且使用频率最高的是停在1400mhz。它已经被7800gtx / GT，6800gs，6600gt广泛应用，通讯x850 / / X800 X700等显卡，144ball封装和PCB电路有限频率增强，GDDR3快速地切换到一个更好的电气136ball FBGA封装包。
136ball FBGA封装，频率能力上升
In order to improve the electrical performance and environmental protection level, from 2005, GDDR3 began to use a new 136Ball FBGA package and unleaded packaging technology.The new packaging made the graphics card PCB redesigned, but it also paved the way for GDDR3's takeoff.
三星0.8ns GDDR3内存16mtimes 32bit规格；
对136ball GDDR3封装的优点如下：
规格不再局限于8mtimes；32bit，16mtimes；32bit成为主流，32mtimes；32bit已在大量使用；
随着制造工艺的进步，额定电压从2.0V到1.8V进一步减少，但高频率的粒子可以适当加压。
速度从1.4ns，发展到通过1.2ns 0.8ns和0.7ns，1.1ns和1.0ns。以最快的速度可以突破2500mhz，但在延迟，费用还好，GPU是不耽误太敏感。
当GDDR3显存频率达到首次2000mhz，很多人认为从极限不远了，所以关注的GDDR4的开发规范，但没想到DRAM厂商的努力和新的技术支持，GDDR3的寿命延长，0.8ns 0.7ns模型已经批量生产，大能力32mtimes；32bit颗粒也成为主流，基本上能够满足所有高中低端显卡的需要。
最快的0.77ns GDDR3显存颗粒，理论频率可以达到2600mhz
2.2ns GDDR是900MHz的同时，与核心频率和我/ O 450MHz频率停止。经过5年的发展，已取得突破性进展，GDDR3核心频率和我/ O频率与新技术。核心频率可达600MHz，和我/ O频率超过1200mhz。此时，过多的I/O频率已经成为一个新的瓶颈。
4bit GDDR3采用DDR2预取技术，所以只有使用DDR3内存8bit序列命名gddr4.gddr4预取在GDDR3显存的基础上发展起来的。它继续的GDDR3两主要技术特征，但核心使用DDR3的8bit预取技术，并增加了一些新的技术来提高频率。
对GDDR4 u2022技术特点：
8bit预取技术的DDR3是用来在一个较低的核心频率达到更高的带宽，但延迟的增加。
采用数据总线转位（DBI，数据总线倒置，下面介绍）来提高数据的精度和降低功耗。
地址线只有一半的GDDR3。多余线用于电源和接地，有利于提升频率，但延迟增加。
多个同步码（多序言）技术已被用来解决GDDR3爆发（爆发限制）。
从1.8V至1.5V的电压下降；
频率相同的功耗降低了75%，和2400MHz的GDDR4功耗只有一半的2000mhz GDDR3。
136ball FBGA封装，单32，向下兼容GDDR3；
GDDR4是真的好，但性能是有限的。
由于采用了8bit预取技术，对GDDR4核心频率在同一频率只有GDDR3的一半。在理论上，对GDDR4的最高频率可以达到两倍GDDR3。但值得注意的是，虽然核心频率通过8bit预取技术减少了一半，我 / O GDDR4和GDDR3显存频率是相同的。因此，对GDDR4频率提升的瓶颈在于频率我 / O而不是核心频率。
由于条件限制，制造工艺和技术水平，虽然三星官方已经宣布，他们已经产生大于3GHz GDDR4，实际装船GDDR4只有2ghz-2.5ghz。之后，技术改进后的GDDR3显存也达到了相同的水平，在相同频率下，GDDR4比GDDR3而热功率低，但延迟性能较弱，再加上制作的小成本高，GDDR4遭受冷不奇怪。
非技术原因导致GDDR4失败
GDDR3是联合开发的JEDEC的内存组织Nvidia和ATI的标准，和GDDR4在标准制定过程中都有大differences.nvidia更保守。据认为，DDR2 4bit预取技术应保持不变，我 / O控制器应加强频率。ATI是更根本的，它直接使用DDR3 8bit预取技术。
双方争执的结果是，德高望重的ATI在JEDEC组织胜（一个高大的ATI声称是在JEDEC的顶部位置），而Nvidia显然不支持GDDR4。所以GDDR4实际上是由ATI设计的一方面，但没有NVIDIA支持GDDR4立即失去了超过6的市场，导致DRAM厂不急于生产。
只有少量的三星GDDR4显存的生产，其他公司都在wait-and-see.of课程，其他DRAM厂商也没有闲着，他们的精力投入在深GDDR3显存的潜力，所以我们看到的GDDR3显存频率上升，在没有成本优势GDDR4，没有频率的优势，只是在时间的一个卡这一代人没有性能优势，GDDR4是路的尽头。
只有ATI显卡配备GDDR4已经产生，虽然不是很多，但跨越了三代产品：x1950xtx，hd2600xt和hd3870（包括相应的专业卡）mdash；mdash，这等于在滑铁卢的脸在year.nvidia NVIDIA使用视频卡数量果断弃GDDR2，和ATI GDDR4难以释怀，三年，三代产品都在使用，但它始终是主流。
GDDR4的失败不是技术原因。随着今年GDDR2相比，它已经成熟了很多。为什么不提升的主要原因是对手太强：ATI的竞争对手Nvidia很强，和GDDR4的GDDR3太顽强。
即使8bit预取技术，GDDR4仍然从GDDR3没有区别，因为瓶颈在我/而不是为核心控制器，和GDDR5是用来解决这一瓶颈。
GDDR5：怎么是恐怖的频率达到
像GDDR4、GDDR5采用DDR3的8bit预取技术，和核心频率显然不是一个瓶颈。如何提高我的频率是重中之重。但是GDDR5不双的我/ O的频率，而采用两平行DQ总线双接口的带宽。
的GDDR5总线工作频率示意图
双DQ总线从GDDR3 / 4 136ball到170ball GPU内存控制器的引脚GDDR5数的结果，需要重新design.gddr5内存有多达16的实体银行，这些银行被分为四组，对照组四DQ双母线跨银行，实现实时的读写操作，一举将数据传输率提高到超过4ghz！
在过去，数据总线的gddr1 / 2 / 3 / 4 / 2 / 3 DDR1是DDR技术，其传输数据一个接一个的上升沿和下降沿通过差分时钟。官方标称频率X2是数据传输率，也就是我们通常所说的等效频率。但是GDDR5是不同的。它有两个数据总线，这相当于Rambus的QDR技术，所以官方标称频率X4的数据传输速率，例如，官方HD4870 700内存频率为900MHz，我们曾经叫3600mhz。
失败是成功之母，GDDR5帮助RV770挑战GTX200冒险使用
对GDDR4没有故障停了ATI的进展。实现GDDR4频率提升的瓶颈后，GDDR5草案的制定提上日程。ATI和Nvidia的技术人员聚集开展合作plan.gddr5学会了很多前任的优点，这是它的本质丢弃的本质，并没有更多的矛盾双方在改善我/ O。
技术问题不难解决，最难的是时间和progress.ati R600在上述风险512bit内存控制器以提高内存带宽，它是如此rv670遭受一个大的，回到256bit，导致性能piaffe.gddr4相比GDDR3无频率优势，因此ATI需要GDDR5生产来满足一新一代GPU RV770，需要只有256bit，需要高频率的内存支持。
竞争对手NVIDIA对于GDDR5当然很感兴趣，但不着急，保守的NVIDIA GDDR3 GTX200决定坚持的核心，对512bit内存控制器来提高带宽的使用。随着R600的环形总线相比，NVIDIA的交叉总线从256bit到384bit到512bit步步显然是更成熟。
反对512bit对256bit，ATI只能充电芯片GDDR5，因此在GDDR5标准已完全建立，ATI已经如火如荼的性能测试，并促使DRAM厂投入运行。可以说，是一个早熟的孩子喜欢GDDR5 GDDR2 / 4，但失败是成功之母。与支持完善的技术规范和制造工艺，GDDR5是非常令人印象深刻的她出生时。
由于GDDR5数据传输速率提高一倍，HD4870 700选择256bit到448bit GTX260，迫使NVIDIA反击通过降低价格，提升规范和提高的过程。128bit和9600gt的HD4770性能256bit也赢得9800gt。
对GDDR3 / 4的优良特性的基础上，GDDR5有很多改进和新功能，以下是他们的具体分析。
数据与地址总线换位技术：高信号质量、低功耗
在1byte数据的8个值，如果超过一半的数据是0，那么GDDR5将自动执行换位传输，把0到1和1到0，然后确定数据流是正向还是反向的1个额外的DBI（数据总线转位值）。GDDR5技术的不断发展从GDDR4。
当DRAM传输数据时，只有0会消耗功率，并将传输量减少0。它不仅可以保证信号质量，而且降低了内部终端电阻的功耗和外接电路。GDDR5的地址总线也采用了类似的技术型数据流通过额外的ABI的渠道，从而降低信号噪声和降低功耗。
智能化可编程I/O控制接口：简化pcb设计和成本
GDDR5已经做了很多改进，我 / O控制器，加入了新的引擎，自动校准，确保GDDR5显存颗粒更好地适应GPU内存控制器需要确保稳定和可靠的数据传输。
自动校准引擎可以监控电压和温度的变化，补偿数据通过校验数据输出驱动器的性能和ODT端的电阻值，以及数据、地址、指令终端电阻可以通过软件或驱动程序控制。
GDDR5更具有针，但布线更简洁。
另外，也可以支持GDDR5的时延和信号强度调整，灵活的数据同步协调，通过蛇形延迟线平衡以前的方法去彻底成为历史，GDDR5没有这样的顾虑，所以PCB可以简化布线和成本大大降低，有利于更高频率的影响。
数据覆盖技术：降低数据总线压力
GDDR5的突发长度（相邻的存储单元的连续数据传输的数量）是8bit，也就是说，256bit GDDR5颗粒传输数据一次至少一次，但很多时候，不是所有的数据都需要被改写，导致无效的数据传输。
为此，GDDR5使用的一种数据隐藏技术，通过地址线保护信息。所有受保护的数据将不会被改写，在传输过程中，只有暴露的数据将被写入新的数据。此后，GDDR5的数据线的压力已经减少很多，和功耗得到进一步控制。
误差补偿技术：提高传输效率，避免灾难性错误
为了保证高速传输数据的有效性，一个新的错误检测和校正技术的加入gddr5.gddr5采用成熟的CRC（循环冗余校验），通过DQ和DBI总线，检查错误在真正的时间，并在第一时间发送数据。
这种技术对于高频传输数据尤为重要。它能有效地降低数据传输错误引起系统失效的概率，大大减少所引起的一系列问题超频或高的温度，并在一定程度上提高了数据传输的效率。
折叠方式：32bit颗粒用以16位
GDDR5作为专用的视频卡的高端显卡，只有32bit GDDR5颗粒。因为有两个并行数据总线，GDDR5的工作方式更加灵活。它可以在32位模式或16bit模式工作。这样一个32位的内存控制器可以控制两GDDR5内存，内存容量可以轻松翻倍。
事实上，GDDR3 / 4这样可以扩大存储容量，但原则是完全不同的。GPU内存控制器必须支持在设计的双行模式可以支持更多的内存颗粒。现在，共有8 256bit 128bit GPU GDDR5内存可以使用，从而简化了内存控制器的设计是一个很好的例子，HD4770。
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