DDR3和DDR2的区别
1。逻辑库数为了满足未来大容量芯片的需求是在DDR2 SDRAM 4bank和8bank设计。和DDR3可能从2GB容量的开始，所以从逻辑银行是8，并准备在未来的16个逻辑行。
2，封装（包）
DDR3已经添加了一些功能，所以它会在销面积增加。8bit芯片采用78球FBGA封装，芯片为16bit采用96球FBGA封装，而DDR2 60 / 68 / 84球FBGA封装DDR3三规格，必须是绿色包装，不含任何有害物质。
3，突发长度（BL，突发长度）
由于DDR3的预取是8bit，所以突发传输周期（突发长度）固定为8，与DDR2和早期的DDR系统，BL = 4也用了，所以DDR3加4位爆裂斩（突发突变）模式，从BL = 4读操作加写BL = 4合成一个BL = 8突发数据传输，然后通过A12地址线来控制突发模式，应该指出的是，任何突发中断操作将在DDR3内存的禁止，它将不被支持，而不是一个更灵活的突发传输控制，这样为4位顺序突发。
3，寻址时间序列（定时）
随着DDR DDR2过渡后在延迟周期数的增加，对DDR3的CL周期将高于DDR2，DDR2的CL范围一般在2和5之间，而DDR3是5和11之间，和额外的延迟（AL）的设计也有所改变，DDR2的范围是0到4，而铝在DDR3 0，CL-1和CL-2、三个选项，分别。此外，DDR3还增加了一个时序参数mdash；mdash；写入延迟（CWD），这将取决于具体的工作频率。
4。新功能mdash；mdash；复位（复位）
重置是DDR3的一个重要特征，和销是专门准备的。DRAM产业已经要求添加这个功能很久了，现在终于在DDR3实现。此引脚将DDR3简单的初始化过程。复位命令时是有效的，的DDR3内存将停止所有操作，并切换到最不活跃的状态以节省电力。在重置，DDR3内存将关闭大部分的内部功能，所以数据的接收和发送将被关闭，所有内部的程序装置将复位，和DLL（延迟锁相环）与时钟电路将停止工作而忽视了数据总线上的任何运动，这将使DDR3达到最节能的目的。
5。新功能mdash；mdash；ZQ校准
ZQ也是一个新增的脚低公差参考该引脚电阻与一个240欧姆。这个引脚通过一个命令集自动检查数据输出驱动器和ODT最后的抵抗，这是由自动校准（模具ODCE校准引擎）。当系统发出指令，将使用相应的时钟周期（在退出，在512个时钟周期的功率和初始化后自刷新操作后256个时钟周期，在其他情况下用64个时钟周期）的导通电阻和ODT电阻重新校准。
6，基准电压被分成两个。
参考电压信号VREF，为存储系统是非常重要的，将分在DDR3系统两个信号。一个是vrefca服务命令和地址信号，另一个是vrefdq数据总线。有效地提高了系统数据总线的信噪比。
7。基于温度（SRT，自刷新温度）的自动自刷新
为了确保所保存的数据不丢失，必须定期刷新DRAM，与DDR3也不例外。不过，为了节省电力，DDR3采用新的自动式刷新设计（ASR，自动刷新）。当我们开始ASR，我们将控制刷新频率通过温度传感器内置DRAM芯片。因为刷新率高，电力消耗将增加和温度升高，温度传感器可以减少刷新频率，降低工作温度时，数据不会丢失。然而，DDR3的ASR是可选的设计，并在市场上的DDR3内存并不支持这一功能。因此，有一个额外的功能，是自我更新的温度范围（SRT，自刷新温度）。通过模式寄存器，两温度范围可以选择，一个是正常的温度范围内（例如，0至85摄氏度），另一种是扩展温度范围，如95 C组在DRAM两温度范围内的最高温度，DRAM将以恒定的频率和电流刷新操作。
8、局部自刷新（试验、局部阵列自刷新）
这是一个选择的DDR3。通过这一功能，DDR3内存芯片可刷新的逻辑银行的一部分而不是所有的刷新，从而减少由于自刷新功耗。这是移动存储器的设计非常类似（移动DRAM）。
9，点对点连接（P2P，点对点）
这是提高系统性能的一个重要变化，是DDR2系统和系统之间的关键差异。在DDR3系统内存控制器将只处理一个内存通道，和内存通道只能有一个插槽，所以在内存控制器和DDR3内存模块的点对点（P2P，点对点）的关系（单物理银行模块），或一点两点（p22p，点到2点）的关系（双物理银行模块），从而大大降低了加载地址/命令/控制和数据总线，内存模块，类似于DDR2，有标准的DIMM（桌面PC），SO-DIMM /微型DIMM（笔记本电脑）和fb-dimm2（服务器）。FB-DIMM的第二代将使用amb2高规格（高级内存缓冲）。但在DDR3内存模块的标准化工作开始，引脚设计尚未敲定。