揭开6240-250gTLCSSD性能评价之谜

tlcssd对规模大，一些240gbssd跌到400元，让广大用户看到希望的大容量SSD的普及，价格低240gbssd受到消费者的欢迎，它的性能是令人满意的，可以给消费者今天，我们设置了6 240-250gbssd绩效评价和答案。
揭露性能6 240-250gtlcssd交叉回顾之谜
不是第一次使用TLC闪存SSD，它可以追溯到三星840系列SSD，它诞生于2012.tlc闪存（3bitmlc，例如）在我们的生活中是很常见的。例如，我们使用的U盘大部分是薄层闪存，而其他外部NAND存储设备也使用薄层闪存。
第一款三星840系列固态硬盘闪存

tlcssd作为一个新生事物，上市不久，消费者将不可避免地对他们的怀疑。消费者的疑虑主要集中在性能差、可靠性低、寿命短的TLC闪存。
因此，一系列的6个不同品牌的240-250gbtlcssd综合进行了试验，包括试验的可靠性和性能比较，P / E的寿命试验，以解决消费者的担忧tlcssd。
SSD的性能取决于主控和受闪光memory.flashmemory是一种非易失性存储器，它仍然可以保存数据的时候了。与主控制核心的重要性相比，闪烁的性能是有限的，生产过程的不完全不同。在同一时间，闪存对SSD寿命的决定性影响。
- TLC闪光特征：

螺旋16nmtlc闪存

薄层色谱法，三levelcell的缩写，是2bit /细胞的MLC闪存的扩展。薄层色谱法达到3bit /细胞薄层使用不同的潜在费用，浮栅存储3位的信息，和存储密度比MLC闪存的大0.5倍。
SLC和MLC相比/ TLC闪存架构

1，理论存储密度是最高的；2，制造成本最低，其价格与MLC闪存相比降低20-50%；3，P / E寿命可达1000-2000倍；5，读写速度（相对于SLC和MLC闪存）是缓慢的，随着制造工艺的改进，主要的控制算法有了很大的提高。
MLC闪存相比，TLC闪存的性能和P / E的使用寿命是小于的former.ssd厂商解决这些问题，通过增加高速缓存的性能，提高主控制及算法，等等。
TLC架构可以产生更大的闪存
虽然P／E的寿命没有改变，但通过增加ECC校验和优化主控读写，可以提高可靠性。此外，NAND闪存，容量是平均寿命，和更大的能力具有较高的数据写的生活。这也就是为什么我们把240-250gbtlcssd测试的原因（测试过程需要在下一个测试1-2个月）。综上所述，毫无疑问，薄层色谱法具有更大的优势。
1、ocztrion100240gbssd
京东价格：399元
ocztrion100240gbssd

ocztrion100240gbssd四核心主控和企业级etlc闪光都源于东芝，属于原厂水平的SSD。虽然SSD是入门级的，它的做工和材料消耗并没有缩水，其性能卓越。这也是一个240gbtlcssd更早的出售价格为399元。
2、东芝q300240gbssd
京东价格：399元
东芝q300240gbssd
东芝q300240gbssd采用55nm工艺东芝四核心控制和东芝的第三代a19nm64gbetlc颗粒，E代表企业的水平，是企业etlc TLC颗粒。4 64GB闪存总容量256GB的闪存存储器，其中16GB作为OP冗余缓存，对240gb实际可用的闪存容量。
三.金德t-one240gbssd
参考价格：399元
金德t-one240gbssd
基姆德t-one240gbssd是产品通过与两家公司如六闪存和慧荣大师控制合作两企业生产。它采用慧荣sm2256k主控和螺旋原厂16nmtlc闪光。它的做工和质量不低于原来的SSD，它的更好的读写速度，随机读写IOPS的痕迹，整体价格优秀。
4、三星850evo250gbssd
京东价格：579元
三星850evo250gbssd
三星850evossd是一种新的高性能产品，三星更换840evo代，固态硬盘全面换装3dv-nand立体闪光颗粒三星先进的，它比第一840evo在性能方面的耐久性、稳定性等优点。
5、闪迪至尊高速ii240gbssd
京东价格：569元
闪迪高速ii240gbssd

闪迪的最高速度ii240gbssd属于早期的tlcssd，其在入门级SSD的性能，但其价格不expensive.sandisk有金字招牌对该产品的制造商，定位精确，而优秀的性能类似的产品，帮助SSD打开市场。
6、光宝240gbssd
京东价格：449元
光宝240gbsatassd速度系列
源兴智能速度240gbssd利用台湾群联的集成方案，配备闪光灯和群联ps3110大师、东芝系列、台湾CB a19nm高速TLC闪存，质量持续的高规格和售后支持光宝。
非压缩/顺序读速度比较

CrystalDiskMark读写速度测试往往是压缩的，所以它的顺序读写性能的识别速度更为显著。非压缩算法SSD具有无速度损失的特点，和他们的顺序读写速度是远从最大读写速度。
CrystalDiskMark测试（Fan Li）

从CrystalDiskMark测试，闪迪的最高速度ii240gbssd顺序读取速度高达514mb /秒，和顺序写入速度也493mb /秒。

顺序读写速度比较
从CrystalDiskMark的顺序读写速度进行分析，无论是399元的入门级240gbtlcssd或449-549元中端240-250gbtlcssd，整体读写速度与高性能mlcssd，远离传统的机械硬盘。
观点：6的240-250gbtlcssd阅读速度一般是多於500MB /秒，差距主要体现在写作速度，快和慢之间的距离差距是100MB /秒，和最小403mb /秒的写入速度是足够一个SSD能够满足用户的日常工作。
随机读写性能是固态硬盘的关键指标，其单位是IOPS，即数的读写（我/ O接口）操作每秒。这是本性能对比测试第三个环节，其选择的数据是不压缩的。
- asssdi / O接口的吞吐量比较
asssdbenchmark是一个标准的测试程序专为SSD的测试，因为它提供了大量的可定制。
结果表明，它可分为两类，一个是MB /秒，另一个是IOPS的形式。本试验主要采用IOPS随机读写的软件功能测试4k-64thrd任务随机读写IOPS值。
IOPS吞吐量测试

在4KB文件存取，对ocztrion100240gbssd的多线程随机读/写4kb文件的IOPS值为95064和26630。
随机读写能力的IOPS值的比较。
编者分析：三星850evo具有旗舰mlcssd的性能，和闪迪至尊高速II的性能相当于高、中mlcssd。值得一提的是，两家厂商推出tlcssd为第一（三星）和第二（闪迪）。
第三到第五240gbtlcssd，读取IOPS值都是9万3000以上，写IOPS值为2万1000以上，基本上属于同一性能区间。
最后一个是津达唯意。它的读写IOPS值和综合前第三-第五也不是想象中的一样。实际上，它们可以被看作是相同的性能间隔。
- pcmark8硬盘测试
pcmark8是一个全面的、系统的、专业的测试方法来评估用户的PC操作系统的要求至少是Win7的性能，当然，作为一个专为Win8软件，支持Win8是最完美的。软件是完全无法运行的软件，如Vista和WinXP。
pcmark8有一些测试项目建成，其中存储测试项目是评估硬盘的性能，包括游戏和各种办公应用测试。他们是魔兽世界，战地3，PS图象处理软件十，AdobeInDesign，试验adobeaftereffects，adobelllustrator，微软officeword，officeexcel和officepowerpoint。
pcmark8硬盘评分（点击可放大）
t-one240gbssd硬盘得分为4941分，其硬盘带宽224.67mb /秒。什么样的pcmark8评分等级是6 240-250gbtlcssd的比较分析：

pcmark8硬盘评分比较
对应用评分，具有很强的表现mlcssd得分在4900分以上。在这个范围内，有三三星850evo津达，2天一，和闪迪至尊高速II。基姆德唯意拿下了4941分，这是令人惊讶的，和4941点属于中高端mlcssd。
接下来的三ocztrion100，东芝Q300型，与光宝速度点得分的入门级mlcssd。机械硬盘得分2000分，即使最后三SSD的得分机械硬盘的两倍以上。
通过对6 240-250gbtlcssd性能的横向比较，我们已经学了大约三个关键性能参数的tlcssd。
1，读写速度（单位兆秒/秒）

读写速度

这是最关键的性能参数。这6 240-250gbtlcssd读取速度达500 /秒，和最小的写入速度超过400mb /秒。整个mlcssd是高端mlcssd相同。
2。读写IOPS（数的读写操作每秒的我/ O接口）
读写IOPS值

在6 240-250gbtlcssd，三星850evo，闪迪最高高速II的性能可媲美高端mlcssd。剩下的四240-250gbtlcssd性能可以在相同性能区间计算，与入门级的mlcssd相比。
3、pcmark8硬盘应用分数
pcmark8硬盘得分
三星850evo评分、津达天一和闪迪最高高速II是4920分以上，属于中高端mlcssd性能。其他3 240-250gbtlcssd属于入门级mlcssd得分水平。
虽然tlcssd定位入门级产品，但总体tlcssd读写速度很好，大部分的tlcssd读写IOPS，pcmark8磁盘应用评分，和入门级mlcssd低于个人tlcssd性能优于入门级mlcssd。
那么如何tlcssd高性能是做什么的是否有细心的网友发现，市场tlcssd未达到256gb满负荷，甚至三星850evo，也只有250GB的，其他基本上240GB。许多入门级mlcssd是256gb。
这是因为SSD制造商使用各种手段来提高性能和使用寿命tlcssd。它包括TLC闪存虚拟SLC闪存的工作模式和OP冗余缓存。
和tlcssd独立缓存和闪存的比例至少为1:1，从而提高SSD的性能在一定extent.ssd制造商也通过提高主控制及算法提高系统的可靠性，增加了ECC校验和优化控制阅读和写作。它是SSD制造商的多管齐下，牺牲闪存在一定程度上改善和tlcssd寿命的性能，并240-250gbtlcssd是主要推动未来的能力，因为它的使用寿命比120gbtlcssd更长。