在半导体行业盛会SEMICON West 2010，GlobalFoundries（原AMD Fab，第一代工业务独立后的前几年）宣布对极紫外推公司（EUV）光刻生产计划的一些细节。按照这一计划，GF将紫外光刻业务在2014-2015年年，和半导体制造过程中也会进化到22nm制程和20nm。不幸的是，AMD并不欢迎这个消息。

Gregg Bartlett，广发科技的高级副总裁，在会议上，发表主题演讲说：我们的战略是要跳过预生产设备阶段，直接购买批量生产级设备和安装在Fab晶圆厂，新建的工厂在纽约。我们计划安装（紫外光刻）在2012下半年的设备，然后开始研发工作，以确保在2014-2015.we立即大量生产采用了在我国研究和发展合作的策略，所以我们可以做出这样的动作来加速大规模生产（紫外光刻芯片）为整个行业。显然，这里所谓的合作来自IBM的LED晶片的俱乐部。

我们可以从浸泡的经验（光刻）紫外光刻，他解释说。从我们的角度来看，沉浸式光刻技术可以达到22 / 20nm工艺节点，但它会带来严重的成本挑战和复杂性的增加，我们需要另一个选择，我们认为紫外光刻是最有前途的。

我们是一个公司的创始成员的EUV（极紫外光刻技术有限责任公司），和我们的研究人员也参与了极紫外光刻的几个重要的里程碑，包括广泛的极紫外测试芯片的第一生产。我们承诺将继续保持这种领先地位，带动行业紫外线光刻技术。

GF 8工厂计划于2012投产。它最初将生产28nm工艺的芯片，然后转向22nm，但恐怕至少要到2014。相比之下，英特尔计划进入22nm在2011下半年，和生产的最新措施仅在2012上半年。

然而，虽然英特尔也一直在极紫外光刻技术的研究，但在短期内不打算使用它，所以虽然GF将进度落后很多，但如果成功技术大大领先，只为AMD和其他OEM客户是大麻烦——AMD每两年一个新的处理器和图形芯片的2013年末制造过程中应使用22 / 20nm，但现在看来2011-2014 AMD只能依靠32／28nm到维护。