电脑内存开机检测(台式机内存检测)
1. 台式机内存检测
1、系统版本过低导致无法检测，建议升级软件版本。
2、购买杂牌内存，鲁大师也是无法检测出来。
3、建议下载CPU-Z检测内存的真假。
鲁大师（原名：Z武器）是新一代的系统工具。它能轻松辨别电脑硬件真伪，保护电脑稳定运行，优化清理系统，提升电脑运行速度的免费软件。
它适合于各种品牌台式机、笔记本电脑、DIY兼容机，实时的关键性部件的监控预警，全面的电脑硬件信息，有效预防硬件故障，让您的电脑免受困扰。
1、可查看整体和单项硬件的性能得分，通过分数判断各硬件的性能。
2、可查看本机操作系统的详细信息，CPU型号、频率，系统版本号等多项信息。
3、可上传分数并查看排名，通过排名查看分数高的机型。
2. 检测笔记本内存
加了根内存条电脑上怎么不显示出，出现这样有三种可能：
1、一是，这条内存没插好，也就是与插槽接触不良。
2、二是，可能是内存条本身出问题了。
3、现在要做的是，把这根内存条拔下来，把金手指用橡皮轻轻擦干净，然后插好。如果还是没解决问题，那就换个插槽插插看看。如果仍然不行，你就把这根内存条在其他电脑上试试。这样试过还是不行的话，那就有可能是内存条有问题了。当然，有问题的内存条大多还是可以修复的。不过，得要懂得的人才可以修；
4、电脑硬件上失败了内存条，但是发现可用内存并没有这么大，那是因为内存超过了4G以上，而电脑使用的是32位系统导致的；重新安装个64位系统就可以解决。
3. 台式机内存检测在哪里
1、按“win+R”键打开运行，在运行输入“cmd”，进去命令提示符之后，输入“ wmic memorychip”，按回车键，之后我们即可看到显示出内存的数据。
2、看内存条表面标注，内存上一般都会标注内存容量以及频率等，如果您是新购买的内存，或者台式电脑，那么就可以拿出来看看，我们可以通过看内存表面铭牌标注即可知道。
3、可以借助第三方工具进行查看内存频率。电脑都会装安全卫士一类的安全软件（推荐鲁大师）。将这个软件打开即可。打开后点击“工具箱”。可以在工具管理的地方看一下。我们在工具中点击“硬件检测”工具，将其打开即可。之后我们即可看到硬件的信息，我们需要点击“内存信息”选项，在里面可以看到内存详细的信息。
4、开机看电脑自检信息，电脑在重启或者开机后，在硬件自检的时候会显示各主要硬件详细信息，其中就会包含内存频率与容量等信息，可以在电脑开机硬件监测到第二个画面的时候，按pause键暂停，暂停自检画面看内存频率信息。
4. 台式机内存检测方法
点击我的电脑，右键，查看电脑设置里面进去就可以看到。
5. 台式机内存检测工具
1.计算法
①打开电脑，然后从开始菜单中打开“运行”，也可以直接使用【Win + R】组合快捷键打开，然后在打开后面键入：cmd ，完成后按回车键或者“确定”进入，如下图所示。
②在打开的cmd命令框操作中，键入命令：wmic memphysical get maxcapacity （完成后，按回车键运行），之后就可以得到如下一个数值的结果，如下图。
③最后再打开计算器，将查询到的数值除以1024，最终得出的结果就是主板最大能够支持的内存。
2.查看主板参数
如果需要通过主板参数查看主板支持多大内存，这种方法需要先知道电脑主板的型号，然后根据型号去网上查看主板参数信息。
①查看主板型号方法也比较简单，大家可以借助鲁大师等硬件检测工具，快速获悉，如下图所示。
②有些笔记本主板型号比较特别，比较难查找参数，一般建议大家用方法一.而台式电脑主板参数比较好查，主要了解主板芯片组即可查询，比如B85主板，一般最大可以支持16GB内存，如下图所示。
6. 主板内存检测
1、判断内存条与主板上的插槽接触是否良好。有时由于机箱内的灰尘过多，导致内存条与插槽的接触不良。此时，可以取出内存条，用橡皮或毛刷清扫上面的灰尘，同时清扫一下内存插槽内的灰尘，再将内存条插上，重启计算机；
2、其次，判断插槽是否有问题。在一般情况下，主板上都提供了 2~3 根内存条插槽，可以将内存条换一个插槽试试。 再次，如果电脑升级进行了内存扩充，则判断是否选择了与主板不兼容的内存条。此时，可以尝试换一根内存条，或直接升级主板的 BIOS 。如果是在原有的内存条上再加了一根内存条，则需判断两根内存条是否品牌一致以及是否兼容等。一般情况下，只需保证两根内存条的型号一致；
3、如果内存损坏,开机会有报警声.如果损坏是不稳定,只有在使用中体会了,比如说排除系统的因素,经常蓝屏,重启,或开机重启,蓝屏.等等.还有一个办法就是用软件测试.不过很费时间.去网上找个everest就可以测了即可。
7. 计算机内存检查
一种参数，一般存储在内存条的SPD上。2-2-2-8 4个数字的含义依次为：CAS Latency（简称CL值）内存CAS延迟时间，他是内存的重要参数之一，某些牌子的内存会把CL值印在内存条的标签上。RAS－to－CAS Delay（tRCD），内存行地址传输到列地址的延迟时间。Row－precharge Delay（tRP），内存行地址选通脉冲预充电时间。Row－active Delay（tRAS），内存行地址选通延迟。这是玩家最关注的4项时序调节，在大部分主板的BIOS中可以设定，内存模组厂商也有计划的推出了低于JEDEC认证标准的低延迟型超频内存模组，在同样频率设定下，最低“2-2-2-5”这种序列时序的内存模组确实能够带来比“3-4-4-8”更高的内存性能，幅度在3至5个百分点。
在一些技术文章里介绍内存设置时序参数时，一般数字“A-B-C-D”分别对应的参数是“CL-tRCD-tRP-tRAS”，现在你该明白“2-3-3-6”是什么意思了吧？！^_^下面就这几个参数及BIOS设置中影响内存性能的其它参数逐一给大家作一介绍：
一、内存延迟时序“CL-tRCD-tRP-tRAS”的设置
首先，需要在BIOS中打开手动设置，在BIOS设置中找到“DRAM Timing Selectable”，BIOS设置中可能出现的其他描述有：Automatic Configuration、DRAM Auto、Timing Selectable、Timing Configuring By SPD等，将其值设为“Menual”（视BIOS的不同可能的选项有：On/Off或Enable/Disable），如果要调整内存时序，应该先打开手动设置，之后会自动出现详细的时序参数列表：
Command Per Clock(CPC)
可选的设置：Auto，Enable(1T)，Disable(2T)。
Command Per Clock(CPC：指令比率，也有翻译为：首命令延迟)，一般还被描述为DRAM Command Rate、CMD Rate等。由于目前的DDR内存的寻址，先要进行P-Bank的选择（通过DIMM上CS片选信号进行），然后才是L-Bank/行激活与列地址的选择。这个参数的含义就是指在P-Bank选择完之后多少时间可以发出具体的寻址的L-Bank/行激活命令，单位是时钟周期。
显然，也是越短越好。但当随着主板上内存模组的增多，控制芯片组的负载也随之增加，过短的命令间隔可能会影响稳定性。因此当你的内存插得很多而出现不太稳定的时间，才需要将此参数调长。目前的大部分主板都会自动设置这个参数。
该参数的默认值为Disable(2T)，如果玩家的内存质量很好，则可以将其设置为Enable(1T)。
CAS Latency Control(tCL)
可选的设置：Auto，1，1.5，2，2.5，3，3.5，4，4.5。
一般我们在查阅内存的时序参数时，如“3-4-4-8”这一类的数字序列，上述数字序列分别对应的参数是“CL-tRCD-tRP-tRAS”。这个3就是第1个参数，即CL参数。
CAS Latency Control(也被描述为tCL、CL、CAS Latency Time、CAS Timing Delay)，CAS latency是“内存读写操作前列地址控制器的潜伏时间”。CAS控制从接受一个指令到执行指令之间的时间。因为CAS主要控制十六进制的地址，或者说是内存矩阵中的列地址，所以它是最为重要的参数，在稳定的前提下应该尽可能设低。
内存是根据行和列寻址的，当请求触发后，最初是tRAS（Activeto Precharge Delay），预充电后，内存才真正开始初始化RAS。一旦tRAS激活后，RAS（Row Address Strobe ）开始进行需要数据的寻址。首先是行地址，然后初始化tRCD，周期结束，接着通过CAS访问所需数据的精确十六进制地址。期间从CAS开始到CAS结束就是CAS延迟。所以CAS是找到数据的最后一个步骤，也是内存参数中最重要的。
这个参数控制内存接收到一条数据读取指令后要等待多少个时钟周期才实际执行该指令。同时该参数也决定了在一次内存突发传送过程中完成第一部分传送所需要的时钟周期数。这个参数越小，则内存的速度越快。必须注意部分内存不能运行在较低的延迟，可能会丢失数据，因此在提醒大家把CAS延迟设为2或2.5的同时，如果不稳定就只有进一步提高它了。而且提高延迟能使内存运行在更高的频率，所以需要对内存超频时，应该试着提高CAS延迟。
该参数对内存性能的影响最大，在保证系统稳定性的前提下，CAS值越低，则会导致更快的内存读写操作。CL值为2为会获得最佳的性能，而CL值为3可以提高系统的稳定性。注意，WinbondBH-5/6芯片可能无法设为3。
RAS# to CAS# Delay(tRCD)
可选的设置：Auto，0，1，2，3，4，5，6，7。
该值就是“3-4-4-8”内存时序参数中的第2个参数，即第1个4。RAS# to CAS# Delay(也被描述为：tRCD、RAS to CAS Delay、Active to CMD)，表示"行寻址到列寻址延迟时间"，数值越小，性能越好。对内存进行读、写或刷新操作时，需要在这两种脉冲信号之间插入延迟时钟周期。在JEDEC规范中，它是排在第二的参数，降低此延时，可以提高系统性能。建议该值设置为3或2，但如果该值设置太低，同样会导致系统不稳定。该值为4时，系统将处于最稳定的状态，而该值为5，则太保守。
如果你的内存的超频性能不佳，则可将此值设为内存的默认值或尝试提高tRCD值。
Min RAS# Active Timing(tRAS)
可选的设置：Auto，00，01，02，03，04，05，06，07，08，09，10，11，12，13，14，15。
该值就是该值就是“3-4-4-8”内存时序参数中的最后一个参数，即8。Min RAS# Active Time (也被描述为：tRAS、Active to Precharge Delay、Row Active Time、Precharge Wait State、Row Active Delay、Row Precharge Delay、RAS Active Time)，表示“内存行有效至预充电的最短周期”，调整这个参数需要结合具体情况而定，一般我们最好设在5－10之间。这个参数要根据实际情况而定，并不是说越大或越小就越好。
如果tRAS的周期太长，系统会因为无谓的等待而降低性能。降低tRAS周期，则会导致已被激活的行地址会更早的进入非激活状态。如果tRAS的周期太短，则可能因缺乏足够的时间而无法完成数据的突发传输，这样会引发丢失数据或损坏数据。该值一般设定为CAS latency + tRCD + 2个时钟周期。如果你的CAS latency的值为2，tRCD的值为3，则最佳的tRAS值应该设置为7个时钟周期。为提高系统性能，应尽可能降低tRAS的值，但如果发生内存错误或系统死机，则应该增大tRAS的值。
如果使用DFI的主板，则tRAS值建议使用00，或者5-10之间的值。
Row Precharge Timing(tRP)
可选的设置：Auto，0，1，2，3，4，5，6，7。
该值就是“3-4-4-8”内存时序参数中的第3个参数，即第2个4。Row Precharge Timing (也被描述为：tRP、RAS Precharge、Precharge to active)，表示"内存行地址控制器预充电时间"，预充电参数越小则内存读写速度就越快。
tRP用来设定在另一行能被激活之前，RAS需要的充电时间。tRP参数设置太长会导致所有的行激活延迟过长，设为2可以减少预充电时间，从而更快地激活下一行。然而，想要把tRP设为2对大多数内存都是个很高的要求，可能会造成行激活之前的数据丢失，不能顺利地完成读写操作。对于桌面计算机来说，推荐预充电参数的值设定为2个时钟周期，这是最佳的设置。如果比此值低，则会因为每次激活相邻紧接着的bank将需要1个时钟周期，这将影响DDR内存的读写性能，从而降低性能。只有在tRP值为2而出现系统不稳定的情况下，将此值设定为3个时钟周期。
如果使用DFI的主板，则tRP值建议2-5之间的值。值为2将获取最高的性能，该值为4将在超频时获取最佳的稳定性，同样的而该值为5，则太保守。大部分内存都无法使用2的值，需要超频才可以达到该参数。
Row Cycle Time(tRC)
可选的设置：Auto，7-22，步幅值1。
Row Cycle Time(tRC、RC)，表示“SDRAM行周期时间”，它是包括行单元预充电到激活在内的整个过程所需要的最小的时钟周期数。
其计算公式是：row cycle time (tRC) = minimum row active time(tRAS) + row precharge time(tRP)。因此，设置该参数之前，你应该明白你的tRAS值和tRP值是多少。如果tRC的时间过长，会因在完成整个时钟周期后激活新的地址而等待无谓的延时，而降低性能。然后一旦该值设置过小，在被激活的行单元被充分充电之前，新的周期就可以被初始化。
在这种情况下，仍会导致数据丢失和损坏。因此，最好根据tRC = tRAS + tRP进行设置，如果你的内存模块的tRAS值是7个时钟周期，而tRP的值为4个时钟周期，则理想的tRC的值应当设置为11个时钟周期。
Row Refresh Cycle Time(tRFC)
可选的设置：Auto，9-24，步幅值1。
Row Refresh Cycle Time(tRFC、RFC)，表示“SDRAM行刷新周期时间”，它是行单元刷新所需要的时钟周期数。该值也表示向相同的bank中的另一个行单元两次发送刷新指令(即：REF指令)之间的时间间隔。tRFC值越小越好，它比tRC的值要稍高一些。
如果使用DFI的主板，通常tRFC的值不能达到9，而10为最佳设置，17-19是建议值。建议从17开始依次递减来测试该值。大多数稳定值为tRC加上2-4个时钟周期。
Row to Row Delay(RAS to RAS delay)(tRRD)
可选的设置：Auto， 0-7，每级以1的步幅递增。
Row to Row Delay，也被称为RAS to RAS delay (tRRD)，表示"行单元到行单元的延时"。该值也表示向相同的bank中的同一个行单元两次发送激活指令(即：REF指令)之间的时间间隔。tRRD值越小越好。
延迟越低，表示下一个bank能更快地被激活，进行读写操作。然而，由于需要一定量的数据，太短的延迟会引起连续数据膨胀。于桌面计算机来说，推荐tRRD值设定为2个时钟周期，这是最佳的设置，此时的数据膨胀可以忽视。如果比此值低，则会因为每次激活相邻紧接着的bank将需要1个时钟周期，这将影响DDR内存的读写性能，从而降低性能。只有在tRRD值为2而出现系统不稳定的情况下，将此值设定为3个时钟周期。
如果使用DFI的主板，则tRRD值为00是最佳性能参数，4时能达到最高的频率。通常2是最合适的值，00看上去很奇怪，但有人也能稳定运行在00-260MHz。
Write Recovery Time(tWR)
可选的设置：Auto，2，3。
Write Recovery Time (tWD)，表示“写恢复延时”。该值说明在一个激活的bank中完成有效的写操作及预充电前，必须等待多少个时钟周期。这段必须的时钟周期用来确保在预充电发生前，写缓冲中的数据可以被写进内存单元中。同样的，过低的tWD虽然提高了系统性能，但可能导致数据还未被正确写入到内存单元中，就发生了预充电操作，会导致数据的丢失及损坏。
如果你使用的是DDR200和266的内存，建议将tWR值设为2；如果使用或DDR400，则将tWD值设为3。如果使用DFI的主板，则tWR值建议为2。
Write to Read Delay(tWTR)
可选的设置：Auto，1，2。
Write to Read Delay (tWTR)，表示“读到写延时”。三星公司称其为“TCDLR (last data in to read command)”，即最后的数据进入读指令。它设定向DDR内存模块中的同一个单元中，在最后一次有效的写操作和下一次读操作之间必须等待的时钟周期。
tWTR值为2在高时钟频率的情况下，降低了读性能，但提高了系统稳定性。这种情况下，也使得内存芯片运行于高速度下。换句话说，增加tWTR值，可以让内容模块运行于比其默认速度更快的速度下。如果使用DDR266或DDR333，则将tWTR值设为1；如果使用DDR400，则也可试着将tWTR的值设为1，如果系统不稳定，则改为2。
Refresh Period(tREF)
可选的设置：Auto， 0032-4708，其步进值非固定。
Refresh Period (tREF)，表示“刷新周期”。它指内存模块的刷新周期。
先请看不同的参数在相同的内存下所对应的刷新周期(单位：微秒，即：一百万分之一秒)。?号在这里表示该刷新周期尚无对应的准确数据。
1552= 100mhz 2064= 133mhz 2592= 166mhz 3120= 200mhz ---------------------
3632= 100mhz 4128= 133mhz
4672= 166mhz
0064= 200mhz
---------------------
0776= 100mhz 1032= 133mhz 1296= 166mhz 1560= 200mhz
---------------------
1816= 100mhz 2064= 133mhz 2336= 166mhz 0032= 200mhz ---------------------
0388= 100mhz(15.6us)
0516= 133mhz(15.6us)
0648= 166mhz(15.6us)
0780= 200mhz(15.6us)
---------------------
0908= 100mhz(7.8us)
1032= 133mhz(7.8us)
1168= 166mhz(7.8us)
0016= 200mhz(7.8us)
---------------------
1536= 100mhz(3.9us)
2048= 133mhz(3.9us)
2560= 166mhz(3.9us)
3072= 200mhz(3.9us)
---------------------
3684= 100mhz(1.95us)
4196= 133mhz(1.95us)
4708= 166mhz(1.95us)
0128= 200mhz(1.95us)
如果采用Auto选项，主板BIOS将会查询内存上的一个很小的、名为“SPD”(Serial Presence Detect )的芯片。SPD存储了内存条的各种相关工作参数等信息，系统会自动根据SPD中的数据中最保守的设置来确定内存的运行参数。如过要追求最优的性能，则需手动设置刷新周期的参数。一般说来，15.6us适用于基于128兆位内存芯片的内存（即单颗容量为16MB的内存），而7.8us适用于基于256兆位内存芯片的内存（即单颗容量为32MB的内存）。注意，如果tREF刷新周期设置不当，将会导致内存单元丢失其数据。
另外根据其他的资料显示，内存存储每一个bit，都需要定期的刷新来充电。不及时充电会导致数据的丢失。DRAM实际上就是电容器，最小的存储单位是bit。阵列中的每个bit都能被随机地访问。但如果不充电，数据只能保存很短的时间。因此我们必须每隔15.6us就刷新一行。每次刷新时数据就被重写一次。正是这个原因DRAM也被称为非永久性存储器。一般通过同步的RAS-only的刷新方法（行刷新），每行每行的依次刷新。早期的EDO内存每刷新一行耗费15.6us的时间。因此一个2Kb的内存每列的刷新时间为15.6?s x2048行=32ms。
8. 检测本机内存
1、具体操作：打开手机，进入设置→通用→关于本机。
2、大部分情况下，iOS的系统运行并不会占用到太多的存储空间，因此我们其实并没有必要去刻意地清理iPhone的运行内存，更没有必要去安装360安全卫士像安卓那样随时随地地清理手机中产生的垃圾。
3、运行内存是指手机运行程序时的内存，也叫RAM(简称运存)。而另一个内存是用来存储东西的内存,就像8G的MP4一样,它拥有8G的存储空间,这种内存为一般叫的手机内存。
4、手机的"内存"通常指"运行内存"及"非运行内存"。手机的"运行内存"相当于电脑的内存，即RAM。而手机的"非运行内存"，相当于电脑的硬盘，厂家常直接称其为手机内存，也就是所谓的ROM。RAM越大，手机能运行多个程序且流畅;ROM越大，就像硬盘越大，能存放更多的数据。
5、手机的运行内存是指运行程序时存储或者暂时存储的地方，而CPU是用来计算的
9. 台式电脑查内存
1、运行电脑。
2、在Windows系统中，对着计算机图标击右键，选择“属性”菜单选项。
3、在计算机属性页面中，我们即可看到电脑中安装的运行内存容量大小。
4、在Win10系统中，还可以对着任务栏击右键，选择“任务管理器”选项。
5、在打开的任务管理器页面中，选择“性能”选项卡，并点击“内存”菜单，即可看到电脑中安装的运行内存容量大小了。
10. 电脑开机内存检测
造成这种原因可以从以下两个方面进行检查：
一，内存条没插好或者金手指上面有灰尘。
解决方法：
内存使用酒精棉球多擦拭一会。内存插槽也使用酒精棉球擦洗。在插回原来的内存条。之前请主板电池放电。酒精棉球，医用的。断电后，清除身上静电之后在操作。
如果有必要，显卡，显卡插槽都用酒精棉球擦拭，擦拭期间可以给主板电池放电。
二，内存条不兼容导致的电脑无法开机
解决方法：
1. 分别测试二根内存是不是都正常，比如：先插上一根内存看看是不是正常，再换另一根内存看看是不是正常，如果二根都正常的话，就把二根内存再换一下插槽看看
2. 如果通过1确定是内存条不兼容的话，那么就只有换掉不兼容的内存条，买两根一模一样的内存条就可以了。