500次快闪记忆体速度ST-MRAM内存外观

EverSpin的技术，由飞思卡尔半导体公司公布，今天发布的第一个自旋转移磁阻内存（ST-MRAM）行业中的芯片，可用于非易失性存储器子系统。
STT-MRAM是MRAM技术的第二代，可解决传统MRAM结构存在的一些问题，STT-MRAM是众多竞争成为下一代方案的共同记忆，一种普遍的记忆是指下一代平台可以满足不同的应用需求，并取代DRAM、SRAM和目前使用Flash存储器元件（从dramx通道提取）。
根据EverSpin的ST-MRAM是，以取代传统的DRAM H或NAND闪存市场新的存储产品发布。
ST-MRAM 500倍的NAND闪存，但随着DRAM的64mbit芯片的耐久性，这是计算机配置EverSpin的释放：（）在第一个产品公司ST-MRAM的路线图，按照计划，未来该公司还将推出千兆级和更快的芯片。
从规格表，EverSpin的64mit ST-MRAM完全遵循jedecddr3接口，每个数据引脚可以提供1.6gt / s的传输速率和纳秒级的速度，和包是同WBGA DDR3。
未来1gbit芯片的功耗为0.4瓦，而64gbit娜娜闪光的仅为0.08瓦。
价格，EverSpin的语焉不详，但这是NAND闪存的50倍，这意味着大容量存储设备，它是不适合的，但是不要忘记ST-MRAM在4KB内存块可以达到每秒40万次，随机写我/ O，但NAND芯片可以做800随机写我/ O。