相比于DDR2，DDR3内存具有更高的频率和更高的带宽，这主要是由于预取机制的DDR3内存的预取机制的DDR3也从DDR2的4bit预取升级到8bit预取。所以DRAM内核的频率只有1 / 8的接口频率。对ddr3-800核心工作频率仅为100MHz。当DRAM内核运行在200MHz，接口的频率达到了1600MHz，这无疑大大提高了内存的频率。



与DDR2 DDR3也比DDR3更低的工作电压。DDR3内存采用100nm以下的生产工艺，减少从1.8V到1.5V的工作电压，增加异步复位（复位）和ZQ校准功能，除了更好的性能，同时也节约了电。



它可以从上述标准对照表写在52硬件网站，DDR3的CL周期也将比DDR2提高视。DDR2的CL范围一般为2 ~ 5之间，而DDR3 5 ~ 11之间，和额外的延迟的设计（Al）也发生了变化。在DDR2 Al的范围是0 ~ 4，而铝在DDR3 0，CL-1和CL-2，三个选项，分别。







DDR3还增加了一个4位爆裂斩（突发突变）模式，即一个BL = 4读操作加BL = 4写操作合成一个BL = 8的数据突发传输，然后我们可以通过A12地址线控制突发模式。主要原因是DDR3的预取是8bit，及其突发传输周期（BL，突发长度）固定为8，引入适应DDR2和早期的DDR架构的BL = 4模式下的系统。此外，DDR3还增加了复位功能，新增ZQ校准功能，点对点的连接（点对点，P2P）设计等。



规格有所创新，并在实际的性能方面，由DDR3系统提高了带宽仍然是明显的。当然，目前的DDR3内存是1066级产品。从DDR2 800有点差异，但我相信随着DDR3的普及，更高频率的产品优势将逐步体现。这种情况与DDR2取代DDR DDR2与DDR 667的实际性能也与400一样。