DDR3内存是什么意思

DDR3是计算机内存规范。它属于SDRAM的存储产品家族提供了一个更高的运行效率和较低的电压比DDR2 SDRAM。

DDR3技术介绍

DDR3 SDRAM的力量更大，更快的传输效率，采用SSTL 15我 / O接口，我 / O的工作电压为1.5V，CSP的封装，FBGA封装，SDRAM的ODT，除了DDR2强迫症，延续发CAS，铝的控制，还增加了一个更复杂的CWD，复位，ZQ，SRT、RASR功能的。



DDR3内存的技术改进

逻辑行数：为了满足未来大容量芯片的需求是在DDR2 SDRAM 4bank和8bank设计。和DDR3可能从2GB容量的开始，所以从逻辑银行是8，并准备在未来的16个逻辑行。

封装：DDR3已经增加了一些功能，所以它会在销面积增加。8bit芯片采用78球FBGA封装，芯片为16bit采用96球FBGA封装，而DDR2 60 / 68 / 84球FBGA封装规格三。

突发长度：由于DDR3的预取是8bit，所以突发传输周期（突发长度）固定为8，与DDR2和早期的DDR系统，BL = 4也用了，所以DDR3加4位爆裂斩（突发突变）模式，从BL = 4的读操作和写操作BL = 4合成BL = 8突发数据传输，然后通过A12地址线来控制突发模式。

解决时间序列：DDR3的延迟是5和11之间，和额外的延迟（AL）的设计也发生了变化。

降低功耗：DDR3可以实现高带宽的同时，其功耗可以降低。其核心工作电压从DDR2 1.8v降低至1.5V，和预测的相关数据将节省30%的功耗与目前的DDR2相比。