台积电2nm工艺挤牙膏 三星窃喜：2025年赶超机会来了
前几天的技术论坛上，全球第一大晶圆代工厂台积电公布了芯片工艺路线图，其中
3nm
工艺就有5
种之多，2025
年将推出2nm
工艺，用上GAA
晶体管技术。根据台积电的说法，相比
3nm
工艺，在相同功耗下，2nm
速度快10~15%
；相同速度下，功耗降低25~30%
。虽然这些指标看着不错，
但是
2nm
工艺的密度提升挤牙膏了，仅提升了10%
， 远远达不到摩尔定律密度翻倍的要求，比之前台积电新工艺至少70%
的密度提升也差远了。2nm
工艺的难度显然成了一个挑战，这让台积电未来的密度提升越来越难，不过对竞争对手来说，台积电这次的挤牙膏让他们窃喜，有了追赶的机会。不仅
Intel
的20A/18A
工艺会在2024-2025
年对台积电2nm
带来压力，更大的麻烦还有三星， 三星使用GAA
晶体管比台积电还要激进，3nm
工艺上就会使用。根据三星的计划，
3nm GAA
工艺预计会在6
月份就试验性量产，相比5nm
工艺，该工艺的性能提升15%
，功耗降低30%
，芯片面积减少35%
。三星也将
2nm GAA
工艺的量产时间定在2025
年，跟台积电差不多同步， 这也是三星近年来首次的新工艺量产上追上台积电 ，此前都要慢上1-2
年，导致缺乏竞争力。