JEDEC发布了DDR4的主要指标

JEDEC州技术协会（JEDEC固态技术协会）公布了DDR4的主要指标（双倍数据速率4）。电压和最大传输速度为3.2gbit /秒，1.2v。

美国计划在2012年年中DDR4指数问题，但现在业内关注的DDR4有了很大的提高。许多DRAM厂商已经开始试生产的DRAM chips.jedec希望避免在行业的混乱和通过官方发布促进DDR4的外观。

对于使用JEDEC DDR4，也称消费产品除了传统的服务器的主要用途，笔记本电脑和desktop PC.JEDEC表示速度，在保证DDR4的顺利应用到上述产品的基础上确定了电压和结构。采取DDR4的VDDQ电压，例如，最初为+1.2 V，和一个低电压指示灯将在未来增加，+ 1.2V的电压低于DDR3和DDR3L +1.5的传输速度为1.35V。每个引脚在第一1.6g ~ 3.2gbit /秒。有传言说，DDR4的速度将超过4gbit /秒，但现在的初始最大速度目标值3.2gbit /秒，一个可接受的值。

在这个版本中，性能指标符合JEDEC DDR4，简称DQ总线伪开漏，为2667mhz低速模式接口（geardown模式）以上的速度，银行集团（银行），内部生产的vrefdq框架和改进培训模式（训练模式）。此外，银行的报文结构，其中可以通过多个银行进行分组，也说明如下。也就是说，8位预取的银行包结构的数据（2或4的银行可分）。因此，在DDR4内存，每个银行包的读、写和刷新的行动不涉及其他银行包动作状态。这可以提高内存子系统的效率和带宽。

其他指标已经逐一介绍（与正确的参考）。例如，作为DBI（数据位反转）点可以建立以指示数据是倒置的，补充的计算可以在高速度和低功耗进行。此外，数据总线也可以增加CRC（循环冗余校验）功能，指令总线和地址总线可以设置奇偶校验（CA平价）在同一时间。少量的功率消耗可以减少错误。还有一个DDL停止模式，这有助于降低功耗。