计算机的许多部分中，记忆是一个相对缓慢的更换硬件。当记忆开始走向DDR2的时代，我们都不愿意丢弃长DDR。毕竟，改变一代人的身体是不容易的，然而，在旧车上玩高难度的游戏是有点累的。无限容量升级后，一些玩家开始冒险，依靠内存超频性能的提高。事实上，没有必要去理会它。通过优化内存参数，达到提高性能的目的。这是许多玩家忽视的。



除了容量和频率，我们很少去关心等一系列x-x-x-x参数，是决定内存性能的一个非常重要的参数。它也可以通过BIOS中适当的调整实现业绩的变化。这是一组参数CL tRCD TRP TRAS的记忆，包括CL（CAS Latency）对存储器的读写控制顶端地址延迟，常见的号码是2，在nforce4平台的到来，CL开始增加1.5集；tRCD（RAS CAS Delay）为解决列寻址延迟时间。从2到5，当然，是更好的；色氨酸（RAS预充电时间）为预充电时间，2, 3, 4规格的内存地址控制器，数字越小，存储器的读写速度；TRAS（RAS激活时间）是最有效的短期记忆的预充电。nForce系列平台已建立1 ~ 15。



在了解这些参数的含义，我将不得不调整适当提高内存性能的影响。我的电脑主要硬件设置，主板芯片组是不是时下最流行的nforce4，但nforce3交替英特尔865pm芯片组。记忆是三星金条，DDR400 256mb * 2，和这个内存的初始值是3-3-3-7.it需要说明的是，三星酒吧的稳定性极佳，所以这不是一个非常好的超频内存，这有助于建立各种参数。



主板芯片组是由工厂的默认时间，而不是设置根据存储器的参数规格，因此需要进入BIOS的设置参数，正确的方法是减少优化设置一个项目只有一次值，保存退出，重启电脑到Windows，在优化或不小内存的机器运行的稳定性，如果稳定的使用sp2004 superpi或软件，可以继续优化来降低项目的延迟，如果不稳定，需要变回第一设定值。当一个项目完成后，我们将调整第二项目来优化，而不是一次多延迟计划修改。一旦发生不稳定，我们就不知道哪个值没有正确设置，这不利于找到原因。









您可以从图中看到参数的设置范围。三星金条DDR400 256MB 3-3-3-7默认情况下，它可以把一个一个的基础上。







tRAS调整需要注意，不是越低越好，根据不同的硬件平台，一般推荐的参数选择是5, 6。因为我的nforce3主板不支持双通道，而i865芯片组支持双通道分别配置在三星调整试验，当内存页面数大于或等于8、公司设置长一些性能会更好！和内存页面数=行数X4（银行物理逻辑，上述物理银行是不同的概念，银行相当于实际的物理内存提供了一个等效系统内存总线带宽），如果使用双通道平台，计算内存页面的数量减少一半。我用两个单面256mb三星金条内存2x4 = 8页，在双通道应用4页。目前，256MB的内存模块基本上是单一的实体银行，但在每边4芯片基本上都是单一的物理银行。512mb双面模块基本上是双物理银行。对于非双通道系统的定时设置，对长度很小，系统的性能。















U3000















因为我用的处理器是AMD Athlon 64位3000，内存参数的调整更命令速率选项。这个选项是1T、2T -首命令延迟称为K8平台超频。地址中的DDR内存，对p-bank选择（通过CS片选信号DIMM），然后L-BANK /激活和选择列地址。这个参数的含义是指特定的L-BANK /行激活命令可以发送出p-bank选择后，单位是时钟周期。显然，越短越好。但在主板上增加了内存模块的控制芯片组增加负载，和短间隔可能会影响稳定性。所以当你的内存插到很多不稳定的时候，你需要把这个参数长。目前，大部分的K8主板的默认参数是保守的，使用2T，和系统的性能将如果能IT环境下稳定运行的改进。









虽然内存延迟时间在单周期的影响不是很大，但在实际使用中，DDR400每秒200万周期，延迟造成的延迟是非常明显的，是提高等待期间记忆的内存频率，因此可以在第二完成数量减少对。增加数据的吞吐量，也就是常说的增加内存带宽。超频内存没有CPU那么简单，而主要的问题是，内存颗粒的质量决定了振幅和时间的记忆。三星的内存颗粒可以看作是目前质量最好的颗粒，可设置好的时间序列。但为了给用户提供更加稳定可靠的硬件产品，三星不希望用户使用超频。



好，一切都优化了。我们赶快去看看演出有没有变化。也许细微的变化不会使我感觉到，但性能已经通过一些专业的软件测试改进。至少心理也满足^ _ ^