在BIOS内部如何设置内存，很多用户反映，当内存在BIOS中时，选项都是英文的，不明白。下面要学习一点编辑器，向大家介绍一下bios内存中的中英文对照条，欢迎参考和学习。

中英文内存设置：


以上的存储测试：设置或检查不超过100万的记忆当开机自检。此选项已在新的BIOS淘汰。由于内存价格的崩盘，电脑用户的装机容量急剧增加，和自检时间大容量存储器启动太长。将来，即使重复进行内存测试，也可能有允许的/禁止的开关。

自动配置：设置为允许，BIOS设置根据最好的state.bios可以自动设置内存时序，所以内存设置的一些变化将被禁止，并建议选择允许的方式。

内存测试滴答声：是否发出了自检内存的点击，如果你厌倦了，你可以关闭它们。

内存奇偶校验错误：设置是否要设置内存奇偶校验，超过30行的内存已被删除，但非奇偶校验内存的奇偶校验设置将使计算机难以启动。

高速缓存控制器：是否使用缓存，在流行的BIOS中不使用。

影子RAM选项：将系统BIOS或显示卡BIOS设置成常规内存。它可以加速，但也可能导致崩溃。

内部高速缓冲存储器：是否使用CPU内部缓存（第一级缓存），可以提高系统的性能。

外部高速缓冲存储器：是否使用CPU外部缓存（主板上的两级缓存）。它可以提高系统的性能。AMD的新CPU有两级缓存，将主板上的两级缓存撤销到三级缓存中。

并发刷新：直译是同时刷新。在处理其他I/O时，设置CPU刷新内存，可以提高系统性能。

DRAM读等待状态：为CPU设置等待时钟周期来读取内存中的数据。当内存比CPU慢时，可以设置更多的等待时间。

DRAM写等待状态：当CPU将数据写入内存时，设置等待时钟周期。当内存比CPU慢时，可以设置更多的等待时间。

慢刷新：对于高质量的内存和长时间保存数据，可以设置较长的时间来提高系统的性能。

影子cachecable：添加缓存BIOS ROM映射到常规内存使其性能进一步。

页面模式：使内存在页模式或页交错模式下工作。

RAS超时计数器：使页模式或页交错模式工作得更快。因为有可能超过内存RAS循环，计数器用于监视RAS循环，并且一旦RAS循环超过，循环将自动重置为0。

内存：内存重新搬迁。即将到来的384上的内存块的数据转储到扩展内存1MB以上。

记忆洞：叫做记忆洞。的内存地址15mb-16mb面积留给一些特殊的ISA扩展卡，可以加速卡的速度或避免冲突。通常设置为禁止除非ISA扩展卡有一个特殊的描述。

DRMA定时设置：快页内存或EDO内存速度设置，通常60ns或70ns选择无效或更快的速度，为10ns的SDRAM存储器。

快速MA到RAS Delay：设置内存地址（内存地址）到内存行地址触发信号（RAS）之间的延迟时间。

DRAM写突发时间：CPU将数据写入缓存，并写入内存的延迟时间。

CAS Delay快速RAS：行地址和列地址信号触发，触发信号之间的延迟时间，通常是RAS #降到中科院#下降之间的时间。

DRAM的启动时间：CPU读/写内存前的时间。

DRAM投机读取：当设置为允许时，读取内存的时间比正常时间提前一段时间，这可以提高系统的性能。

DRAM数据完整性模式：内存检查的选择是奇偶校验或ECC。

刷新RAS断言：设置内存地址行刷新时间，延迟刷新高质量内存，提高系统性能。

RAS补给期：对于内存行地址信号进行预充电所需的时间。

快速的江户路径选择：建立一个快速的读/写到江户存储器的方法可以提高系统性能。

SDRAM的延迟：SDRAM内存集的行地址被触发到由列地址触发的时间延迟。

SDRAM RAS定时：将系统的地址触发时间设置为SDRAM内存，即刷新时间。

对等并发：为了提高系统的并行性，CPU可以在缓存、内存或PCI设备、PCI的主控制信号到PCI外围设备等方面同时工作，系统的智能化程度越高，与CPU并行操作越多，性能就越高。