功耗降低50% 三星3nm芯片全球首秀：抢先台积电量产

       

三星之前制定计划在2030年成为全球最先进的半导体制造公司之一，3nm节点是他们的一个杀手锏，之前一直被良率不行等负面传闻困扰，日前三星公司终于亮出首个3nm晶圆，按计划将在今年Q2季度量产，比台积电还要早一些。

       

日前美国总统参观了三星位于平泽市附近的芯片工厂，

这里是目前全球唯一一个可以量产3nm工艺的晶圆厂，三星首次公开了3nm工艺制造的12英寸晶圆，不过具体是哪款芯片还不得而知。

       

对三星来说，3nm节点是他们押注芯片工艺赶超台积电的关键，因为台积电的3nm工艺不会上下一代的GAA晶体管技术，三星的3nm节点就会启用GAA技术，这是一种新型的环绕栅极晶体管，通过使用纳米片设备制造出了MBCFET（Multi-Bridge-Channel FET，多桥-通道场效应管），该技术可以显著增强晶体管性能，主要取代FinFET晶体管技术。

       

根据三星的说法，与7nm制造工艺相比， 3nm GAA技术的逻辑面积效率提高了45%以上，功耗降低了50%，性能提高了约35%，纸面参数上来说却是要优于台积电3nm FinFET工艺。

       

根据三星之前的表态，3nm工艺将在2022年Q2季度量产，这个进度相比台积电的3nm工艺还要激进，后者今年下半年也只能小规模试产，明年才会大规模量产3nm工艺。