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如何设置适当的内存参数
问题:如何设置适当的内存参数 答:内存参数其实是一样的,最常见的是CAS(CL),tRCD,TRP,TRA 1.cas(CL):内存的延迟读取和写入的普罗斯特地址控制器操作。这个参数是非常重要的,这个参数通常是在内存条的标志。在BIOS设置DDR内存CAS参数选项通常有1.5,2,2.5,3个选项,
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问题:如何设置适当的内存参数
答:内存参数其实是一样的,最常见的是CAS(CL),tRCD,TRP,TRA
1.cas(CL):内存的延迟读取和写入的普罗斯特地址控制器操作。这个参数是非常重要的,这个参数通常是在内存条的标志。在BIOS设置DDR内存CAS参数选项通常有1.5,2,2.5,3个选项,和SDRAM只有2, 3两种选择。低CAS周期能减少内存的潜伏周期,提高记忆效率。所以只要我们能运行操作系统的稳定,我们应该尽量降低CAS参数尽可能。
2.trcd(RAS到CAS延迟):内存行地址控制器的延迟时间列地址控制器。参数选项的两个选项是2和3,这个选项也更小更好。
3.trp(RAS预充电时间):内存行地址控制器预充电时间,参数选项有2和3的两个选择。预充电参数越小,存储器读写速度越快。
4.tras(RAS激活时间):最短的时间内从记忆行预充电。一般来说,我们可选的参数选项有5, 6或7 3,但2的2主板,选择范围非常大,最高为15,最低为1。根据具体情况调整参数,一般我们最好5-11.spd之间通常是在高级芯片组功能子项,然后禁用找到了,所以你可以设定自己的内存运行
答:内存参数其实是一样的,最常见的是CAS(CL),tRCD,TRP,TRA
1.cas(CL):内存的延迟读取和写入的普罗斯特地址控制器操作。这个参数是非常重要的,这个参数通常是在内存条的标志。在BIOS设置DDR内存CAS参数选项通常有1.5,2,2.5,3个选项,和SDRAM只有2, 3两种选择。低CAS周期能减少内存的潜伏周期,提高记忆效率。所以只要我们能运行操作系统的稳定,我们应该尽量降低CAS参数尽可能。
2.trcd(RAS到CAS延迟):内存行地址控制器的延迟时间列地址控制器。参数选项的两个选项是2和3,这个选项也更小更好。
3.trp(RAS预充电时间):内存行地址控制器预充电时间,参数选项有2和3的两个选择。预充电参数越小,存储器读写速度越快。
4.tras(RAS激活时间):最短的时间内从记忆行预充电。一般来说,我们可选的参数选项有5, 6或7 3,但2的2主板,选择范围非常大,最高为15,最低为1。根据具体情况调整参数,一般我们最好5-11.spd之间通常是在高级芯片组功能子项,然后禁用找到了,所以你可以设定自己的内存运行
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