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最低3.5w!第一眼看到的14nmBroadwell规格
英特尔下一代处理器Broadwell主要用于移动笔记本平台。随着纳米新技术,功耗也会降低,而CPU / GPU的性能也将得到改善。由于产品将在2014下半年发布,是谈的模式和频率的太早,但基本规格已经浮出水面。 据了解,高性能的H系列,超低电压U和Y系列将进入Haswell第一,主流的M系列将取决于
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英特尔下一代处理器Broadwell主要用于移动笔记本平台。随着纳米新技术,功耗也会降低,而CPU / GPU的性能也将得到改善。由于产品将在2014下半年发布,是谈的模式和频率的太早,但基本规格已经浮出水面。
据了解,高性能的H系列,超低电压U和Y系列将进入Haswell第一,主流的M系列将取决于后期。
H系列将有双芯片和单芯片的两个版本。前者有四个CPU核心,gt3e或GT2核心卡,6mb三级高速缓存,内存支持最高32gb ddr3l-1600,热设计功耗47w,但部分支持是可配置的,并且可以减少37w。芯片组目前hm86,hm87,qm87,和一个新的hm97,但变化并不详细,它应该是一个高端的特殊。
单片机将pch-lp芯片,但它将继续使用胶大法,或真正的SoC,是不明确的。核心的图形卡gt3e,其他基本相同。
U、Y系列单芯片,最多两个CPU核心,三级缓存4mb。U系列支持高达16GB的ddr3l-1600或8GB LPDDR3-1600,及热设计功率为15 / 28w。
15w核心配备GT3,GT2核心显示,奔腾、赛扬GT1是used.28w Core i7 / i5 / i3不是奔腾、赛扬,核只有GT3。
Y系列也高达两个CPU核心,4mb三缓存,一个核心GT2和热设计功耗8gb lpddr3-1600.the内存减少到一系列的4.5W,和可配置的模型可以进一步减少3.5w.in平板机。
据了解,高性能的H系列,超低电压U和Y系列将进入Haswell第一,主流的M系列将取决于后期。
H系列将有双芯片和单芯片的两个版本。前者有四个CPU核心,gt3e或GT2核心卡,6mb三级高速缓存,内存支持最高32gb ddr3l-1600,热设计功耗47w,但部分支持是可配置的,并且可以减少37w。芯片组目前hm86,hm87,qm87,和一个新的hm97,但变化并不详细,它应该是一个高端的特殊。
单片机将pch-lp芯片,但它将继续使用胶大法,或真正的SoC,是不明确的。核心的图形卡gt3e,其他基本相同。
U、Y系列单芯片,最多两个CPU核心,三级缓存4mb。U系列支持高达16GB的ddr3l-1600或8GB LPDDR3-1600,及热设计功率为15 / 28w。
15w核心配备GT3,GT2核心显示,奔腾、赛扬GT1是used.28w Core i7 / i5 / i3不是奔腾、赛扬,核只有GT3。
Y系列也高达两个CPU核心,4mb三缓存,一个核心GT2和热设计功耗8gb lpddr3-1600.the内存减少到一系列的4.5W,和可配置的模型可以进一步减少3.5w.in平板机。
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