据日本经济新闻11月25日报道，美国和日本在东美国超过20微米电子半导体相关企业将共同开发新一代的内存可以大大提高智能手机和其他移动设备的生产性能。相比目前的记忆，记忆的新生成的存储容量将增加到10倍，和电子器件的功率消耗将减少约2 / 3.strive建立2016微米技术，将在2018开始大规模生产，具有国际竞争力的日本材料和设备制造商将统一把握我们新一代的主导力量Y的发展。


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在未来，新一代的内存，称为一个新的磁随机存储器（MRAM）类型，将发展。东芝将与韩国的SK螺旋一起工作，和韩国的三星电子是做研究。日本和美国将积极吸引国内外半导体厂商的参与发展计划，以确立MRAM的基本技术尽快。
参与厂商共同发展，除了今年七月收购Elpida Memory半导体巨头美光科技，包括全球第三大半导体生产设备制造商，世界上最大的东方电力电子半导体晶圆制造企业是化工、大型半导体厂商瑞萨电子和日立等公司制造。派研究人员到日本东北大学投资数十人开始发展自明年初圆。团队由大学教授、内郎，将主导研究。
本公司将分享从材料使用的基本技术，电路机制，工厂的制造工艺，从而实现批量生产，尽快。美光科技将在广岛达拉特旗厂生产的探讨。
MRAM不会哪怕是断了丢失数据，并有望实现大幅节省能源。相比于个人电脑和智能手机内存，存储容量和写入速度将提高到10倍，而智能手机将更快地作出反应。时间使用智能手机每次充电也将从十小时的最大电流扩展到数百个小时。和一个数据中心，将大量的信息也将被用来作为数据处理的记忆。
DRAM已经通过电子电路的细化扩大存储容量，但最尖端产品的电路带宽仅为20 nm左右，这使得它更难以进一步缩小宽度。因此，公司正在研究半导体的结构不同，MRAM，被认为是一种潜在的。
作为一个代表性的半导体、DRAM是实行由英特尔公司在美国的1970，日本的电子公司约占80%的世界市场中上个世纪80年代。远离韩国企业股份后，整合日立、NEC和三菱汽车业务和Elpida内存的形成，成为国内唯一的生产厂家，但2012破产。其次是美国美光科技的收购，全球DRAM市场规模为264亿美元的2012。