1。一方和两方的记忆，银行和银行之间的区别



之间的差异的一面记忆和双内存是在一侧的内存的内存芯片都站在同一边，而在双方的内存芯片分布两侧。单个银行和双银行不同的区别。银行被理解为通道的北桥芯片的内存，通常每个通道为64bit，主板的性能主要取决于它的芯片组，不同的芯片组支持的银行是不同的。例如，英特尔82845系列芯片组支持4个银行，而SIS的645系列芯片组可以支持6家银行。如果主板只支持4个银行，我们用6银行，多余的2行是浪费。双方不一定都是双行，并有可能成为一家银行。这一点是值得注意的。



什么是2-2-3通常指的是2。记忆



在这些计算机硬件的文章经常出现的参数是在主板BIOS的内存参数设置。平时2-2-3是TRP（行预充电时间（时间），通过RAS到CAS）。TRP RAS预充电时间值尽可能小；tRCD是RAS到CAS延迟尽可能小的值；CL（CAS延迟）为CAS的延迟时间，这是纵向地址脉冲的反应时间，也是在一定频率下，支持不同规格的内存的重要标志之一。



3之间有什么区别。通道和内存中的单个通道



什么是双通道DDR技术需要说明的是，它不是DDRII我们之前介绍过的，但是一项技术使2 DDR内存可以同时使用和数据并行传输，双通道DDR技术的优势在于可以双在原有基础上的内存带宽，这是不言而喻的P4处理器的好处。我们都知道400Mhz FSB的P4处理器和主板的数据传输带宽是3.2gb / S，和P4处理器外频533mhz吞吐量达到4.3gb / S，但目前除了i850e支持Rambus PC1066标准，没有内存可以满足处理器的需要，我们是最常用的DDR333本身只有2.7gb / s的带宽。



4.ddr II和目前的DDR内存之间的区别是什么



DDR-II内存是相对于当前主流ddr-i记忆，和他们的工作时钟有望400mhz或更高。主流内存市场将从目前的ddr-333产品ddr-ii.ddr-ii记忆转换将使用0.13微米工艺，容量18mb / / 72mb 36mb，最大288mb，字节结构是X8，x18，x36，读取反应时间是2.5个时钟周期。DLL（延迟锁相环，延迟锁定环）设计的内存（类似于Rambus的设计理念），输出数据，提高工作效率65%左右，DDR数据传输32字节每个周期，并随着工作频率的提高，实现更高的性能。已知的规格：系统内存，包括400mhz（4.8gb / s的带宽），533mhz（5.6gb / s的带宽），667mhz（6.4gb / s的带宽）三种，和显卡（默认），包括800MHz和1000mhz两种。所有DDR-II内存工作在1.8V，与一个单一的能力至少512MB，DDR-II引脚数量有一个200pin，220pin，和240pinfbga包，这与目前的DDR内存不兼容。