DDR4内存和DDR3内存是在以下5个方面的不同：

1。频率和电压

在频率，DDR4内存的工作频率会从2133mhz，和最高能达到4266mhz。这个频率在内存中都有相当大的增加相比，DDR3内存。

从电压，DDR3内存工作电压为1.5V，而DDR4内存的工作电压是近一步，和最小预计将1.2v。



二、传动机构

在DDR4的主要改进体现在信号传递机制相对于DDR3。它有两种规格：除了支持单endedsignaling信号（传统的SE信号），同时还介绍了差（差分信号技术）技术。



三。访问机制

DDR3内存，目前的数据读取机制是双向传输，DDR4内存的访问机制，已改为点对点的技术，这是DDR4整个存储系统的关键设计。

点对点相当于一个主管道对应一个水箱（此机构对传输速度没有太大的影响，因为主管道的尺寸没有改变），这种设计的好处可以大大简化内存模块，更有可能达到更高的频率。



四、封装技术

DDR4内存使用3DS封装技术，和3DS（三维堆栈，3D堆叠）技术是一种在DDR4内存最关键的技术，它是用来增加单芯片的容量。

在使用3DS堆栈封装技术之后，单个内存的最大容量可以达到当前产品的8倍。



五。外观

DDR3内存指的是240，记忆的手指是直的，与DDR4内存指的是284，记忆手指弯曲。



如果你知道更多关于DDR4内存，看到DDR4的优势。（完）