数码资讯
国产SSD奋起直追：中韩闪存芯片技术差已缩短至2年
国产存储芯片正蓬勃发展，代表企业有合肥长鑫（DRAM）、武汉长江存储等。 日前，韩国研究机构OERI在一份报告中分析指出， 中韩DRAM芯片技术的差距大约是5年，NAND闪存芯片则已经缩短至2年。 据悉，长江存储从2021年8月开始量产64层3D NAND，比三星、SK海力士只晚了两年。至于更先进的
选购提示
关注价格、性能、续航、售后和真实使用场景，理性比较后再下单。
国产存储芯片正蓬勃发展，代表企业有合肥长鑫（DRAM）、武汉长江存储等。
日前，韩国研究机构OERI在一份报告中分析指出， 中韩DRAM芯片技术的差距大约是5年，NAND闪存芯片则已经缩短至2年。
据悉，长江存储从2021年8月开始量产64层3D NAND，比三星、SK海力士只晚了两年。至于更先进的超200层3D闪存，三星和SK海力士需要等到明年初，预计长江存储会在2024年做到这一点。
不过，报告认为有个变量是如果苹果真的为旗下产品比如iPhone引入长江存储的芯片，那么或将起到打破产业链格局的作用。
【来源：快科技】【作者：万南】
声明：本文内容用于数码产品信息整理与选购参考，具体价格、库存、售后政策以官方渠道和电商页面实时信息为准。