很多新朋友不知道BIOS中参数的含义，所以本文整理了中英文对比，大家可以参考下。


above1mbmemorytest：设置内存1m以上设置开机自检时，此选项已在新的BIOS淘汰。由于内存价格的崩盘，电脑用户的装机容量急剧增加，和自检时间大容量存储器启动太长。将来，即使重复进行内存测试，也可能有允许的/禁止的开关。


配置：当设置为允许，BIOS设置在最好的state.bios可以自动设置内存时序，所以内存设置的一些变化将被禁止，并建议选择允许的方式。


memorytestticksound：它使一个点击的自我检查内存。如果你累了，你可以关闭它们。


MemoryParityErrorCheck：设置是否设置内存校验。30线以上的使用在年龄的记忆，已被淘汰。但校验非奇偶校验内存设置会使计算机硬盘启动。


CacheMemoryController：是否使用缓存。它是不是在流行awardbios。


shadowramoption：设置系统BIOS或是否显示卡BIOS映射到常规内存。它可以加快速度，但是它也可以导致崩溃。


internalcachememory：CPU内部缓存是否使用（一级缓存），它可以提高系统的性能。


externalcachememory：CPU是否外部高速缓存使用（主板上的两级缓存），它可以提高系统的性能。AMD的新CPU，两级缓存，退两级缓存主板上到三级高速缓存。


concurrentrefresh：直译是同时刷新，设置CPU刷新记忆的同时，其他的我/ O操作可以提高系统的性能。


dramreadwaitstate：对CPU从存储器读取数据集的等待时钟周期。更多的等待可以设置当内存速度比CPU。


dramwritewaitstate：设置等待时钟周期时，CPU将数据写入内存，等待可以设置当内存速度比CPU。


SlowRefresh：质量好的记忆和长时间保持的数据，它可以设置一个较长的时间来提高系统的性能。


shadowcachecable：添加缓存到biosrom，映射到常规内存使其性能进一步。


PageMode：使内存工作在页面方式或pageinterleaved模式。


RASTimeoutCounter：使页面方式或pageinterleaved模式工作得更快。因为有可能超出内存RAS周期计数器是用来监控RAS周期，一旦RAS周期超过，周期是自动重置为0。


memoryrelocation：记忆复位。即将到来的384的上位内存（uppermemoryblock）数据转储到扩展内存1MB以上。


memoryhole：它叫记忆洞。的内存地址15mb-16mb面积留给一些特殊的ISA扩展卡，可以加速卡的速度或避免冲突。通常设置为禁止除非ISA扩展卡有一个特殊的描述。


drmatimingsetting：快页内存或EDO内存速度设置，通常60ns或70ns选项，无效为10ns的SDRAM内存或更快。


FastMAtoRASDelay：设置内存地址之间的延迟时间（存储器）的存储器地址线触发信号（RAS）。


dramwritebrusttiming：CPU将数据写入缓存，并写入延迟时间的记忆。


FastRASToCASDelay：行地址和列地址信号触发，触发信号之间的延迟时间，通常是RAS #降到中科院#下降之间的时间。


dramlead offtiming：CPU读写内存的时间。


dramspeculativeread：当设置为允许，读内存的时间比正常时间的一个时间段，可以提高系统的性能。


DRAMDataIntegrityMode：记忆检查选择平价或ECC。


refreshrasassertion：行地址存储器的刷新时间设置，和质量的内存可以延迟的刷新，从而提高系统的性能。


RASRechargePeriod：对于内存行地址信号进行预充电所需的时间。


fastedopathselect：建立一个快速的方法来读写江户内存可以提高系统的性能。


sdramraslatency：对SDRAM内存设置行地址触发延迟触发时间列地址。


sdramrastiming：设置行地址触发时间为SDRAM存储器，即刷新时间。


peerconcurrency：为了提高系统的并行性，可以同时运行在CPU缓存或内存或PCI设备，或PCI主控信号的外围设备等。系统的智能性越高，越操作并行的CPU，和更高的性能。