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自己翻到300w做到250W功率
我读了很多信息,了解品牌功率可调电源,可以升级50W,云高功率增加100W左右(不是所有的电源都可以升级)。例如,长城的等效功率、杭佳和Segotep是基于相同的PCB图,如帆船冷静王系列和鑫谷硬盘系列。由于使用的主要功率部件是不同的,如230W,250W的电源产品,270w和300W的区别。 在知
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我读了很多信息,了解品牌功率可调电源,可以升级50W,云高功率增加100W左右(不是所有的电源都可以升级)。例如,长城的等效功率、杭佳和Segotep是基于相同的PCB图,如帆船冷静王系列和鑫谷硬盘系列。由于使用的主要功率部件是不同的,如230W,250W的电源产品,270w和300W的区别。
在知道电源是可伸缩的之后,可以从电源的高压整流管、大电容、开关管、输出整流器肖特基和输出滤波电容5个方面进行升级。
变换位置图
改造材料
改造前,将需要购买的组件列表,需要使用组件:高压整流管、大容量、高/低压滤波电容,飞兆半导体开关13009(TO-3P),意法半导体stps3045(30a45v),stps30150整流肖特基,驱动三极管。
在准备好相关部件后,必须准备好工具,如电烙铁、锡枪、螺丝刀、锡线、镊子、万用表和功率测试仪。
5步50w
笔者的额定功率为250W,将升级到300W通过这种转变。这一转变分5步进行。
首先对高压整流器进行改造,提高电源整流功能,避免电源升级后的瓶颈,高压整流管位于高压滤波电容器附近。这两个工具锡枪、电烙铁需要用来升级该组件。高压整流管采用原来的250W的电源类型in5408(3a1000v),这是由t4kb80部件更换(4a800v)。
其次,更换大容量的高压滤波电容,购买680mu;F代替原来的470mu /200V滤波电容器;F /200V的电容器。通过升级大容量高压滤波电容,更多的能量被存储用于升压功率。当电容发生变化,有必要通过包装了解正负极。需要注意的是,电容器的正负极必须正确安装,以避免事故发生的关键。另外,在低压滤波电容器的一部分,我们需要提升2200mu输出和输出电容+ 12V 3300mu F / 16v电容,和升级后的电源+12V输出可以稳定和加强。
再次,有必要提升电源的功率和变换开关管。大容量开关管是用来提供高功率输出的坚实基础。由于开关管的温度非常高,它要求很高的稳定性,在开关的选择,首选飞兆半导体、意法半导体、英飞凌、一morimi等品牌。原来在250W的电源开关管采用小体积13009仙童(220)开关,作者选择了大量13009仙童(TO-3P)更换。重要的是要注意,在开关管的安装需要涂一些散热膏对铝合金散热器散热效果更好执行安斯。
下一步,升级肖特基。肖特基直接控制+12V输出,+电源+5V和+3.3V,它是提高肖特基与开关管同样重要。同时电源整体功率提高的同时,相关的组件应同步升级以避免出现小马拉的车。当肖特基升级,+5V采用stps3045(30a45v)的意大利半导体,和+3.3 V也采用stps3045(30a45v)的意大利半导体。
根据PCB板设计,+12V可以选择两意法半导体f12c20(12a200v)或半导体stps30150(30a150v)。作者用半导体stps30150(30a150v)。
然后,升级的驱动晶体管,250W功率晶体管驱动电源的设计,现在是保证电力驱动的兼容性,300W功率开关管仙童13009(TO-3P),对应于驱动晶体管做了相应的升级,驱动三极管更换后,整个电源的功率升级公告。
改造后,笔者仔细检查电源在PCB的背面,以避免过多的焊锡引脚造成短路,导致工作没有完成。电源接口插入测试仪和测试无负荷和满负荷分别为250W和300W的条件下。改造前,250W输出功率的+12V电流仅为17a。升级后,+输出电流12V增加17a至24A,除了额定功率增加50W。此外,从检测仪,我们知道+12V输出偏差,+ 5V和12V的仅为3%,这有没有超过英特尔ATX 2.3版本5%允许偏差,所以我们可以看到,这个升级是非常成功的。
在知道电源是可伸缩的之后,可以从电源的高压整流管、大电容、开关管、输出整流器肖特基和输出滤波电容5个方面进行升级。
变换位置图
改造材料
改造前,将需要购买的组件列表,需要使用组件:高压整流管、大容量、高/低压滤波电容,飞兆半导体开关13009(TO-3P),意法半导体stps3045(30a45v),stps30150整流肖特基,驱动三极管。
在准备好相关部件后,必须准备好工具,如电烙铁、锡枪、螺丝刀、锡线、镊子、万用表和功率测试仪。
5步50w
笔者的额定功率为250W,将升级到300W通过这种转变。这一转变分5步进行。
首先对高压整流器进行改造,提高电源整流功能,避免电源升级后的瓶颈,高压整流管位于高压滤波电容器附近。这两个工具锡枪、电烙铁需要用来升级该组件。高压整流管采用原来的250W的电源类型in5408(3a1000v),这是由t4kb80部件更换(4a800v)。
其次,更换大容量的高压滤波电容,购买680mu;F代替原来的470mu /200V滤波电容器;F /200V的电容器。通过升级大容量高压滤波电容,更多的能量被存储用于升压功率。当电容发生变化,有必要通过包装了解正负极。需要注意的是,电容器的正负极必须正确安装,以避免事故发生的关键。另外,在低压滤波电容器的一部分,我们需要提升2200mu输出和输出电容+ 12V 3300mu F / 16v电容,和升级后的电源+12V输出可以稳定和加强。
再次,有必要提升电源的功率和变换开关管。大容量开关管是用来提供高功率输出的坚实基础。由于开关管的温度非常高,它要求很高的稳定性,在开关的选择,首选飞兆半导体、意法半导体、英飞凌、一morimi等品牌。原来在250W的电源开关管采用小体积13009仙童(220)开关,作者选择了大量13009仙童(TO-3P)更换。重要的是要注意,在开关管的安装需要涂一些散热膏对铝合金散热器散热效果更好执行安斯。
下一步,升级肖特基。肖特基直接控制+12V输出,+电源+5V和+3.3V,它是提高肖特基与开关管同样重要。同时电源整体功率提高的同时,相关的组件应同步升级以避免出现小马拉的车。当肖特基升级,+5V采用stps3045(30a45v)的意大利半导体,和+3.3 V也采用stps3045(30a45v)的意大利半导体。
根据PCB板设计,+12V可以选择两意法半导体f12c20(12a200v)或半导体stps30150(30a150v)。作者用半导体stps30150(30a150v)。
然后,升级的驱动晶体管,250W功率晶体管驱动电源的设计,现在是保证电力驱动的兼容性,300W功率开关管仙童13009(TO-3P),对应于驱动晶体管做了相应的升级,驱动三极管更换后,整个电源的功率升级公告。
改造后,笔者仔细检查电源在PCB的背面,以避免过多的焊锡引脚造成短路,导致工作没有完成。电源接口插入测试仪和测试无负荷和满负荷分别为250W和300W的条件下。改造前,250W输出功率的+12V电流仅为17a。升级后,+输出电流12V增加17a至24A,除了额定功率增加50W。此外,从检测仪,我们知道+12V输出偏差,+ 5V和12V的仅为3%,这有没有超过英特尔ATX 2.3版本5%允许偏差,所以我们可以看到,这个升级是非常成功的。
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